Tantalum Karbida Berpori

Semikonduktor VeTek Porous Tantalum Carbide (TaC) adalah bahan keramik berkinerja tinggi yang menggabungkan sifat tantalum dan karbon. Struktur berporinya sangat cocok untuk aplikasi spesifik di suhu tinggi dan lingkungan ekstrem. TaC menggabungkan kekerasan, stabilitas termal, dan ketahanan kimia yang sangat baik, menjadikannya pilihan material yang ideal dalam pemrosesan semikonduktor.

Tantalum Karbida Berpori (TaC) terdiri dari tantalum (Ta) dan karbon (C), di mana tantalum membentuk ikatan kimia yang kuat dengan atom karbon, sehingga memberikan daya tahan dan ketahanan aus yang sangat tinggi pada material. Struktur berpori dari Porous TaC dibuat selama proses pembuatan material, dan porositas dapat dikontrol sesuai dengan kebutuhan aplikasi spesifik. Produk ini biasanya diproduksi olehdeposisi uap kimia (CVD)metode, memastikan kontrol yang tepat atas ukuran dan distribusi pori-porinya.

Struktur molekul Tantalum Karbida

Semikonduktor VeTek Porous Tantalum Carbide (TaC) memiliki fitur produk berikut:

- Porositas: Struktur berpori memberikan fungsi berbeda dalam skenario aplikasi tertentu, termasuk difusi gas, filtrasi, atau pembuangan panas terkontrol.

- Titik leleh tinggi: Tantalum karbida memiliki titik leleh yang sangat tinggi sekitar 3,880°C, sehingga cocok untuk lingkungan bersuhu sangat tinggi.

- Kekerasan luar biasa: Porous TaC memiliki kekerasan yang sangat tinggi sekitar 9-10 pada skala kekerasan Mohs, mirip dengan berlian. , dan dapat menahan keausan mekanis dalam kondisi ekstrem.

- Stabilitas termal: Bahan Tantalum Carbide (TaC) dapat tetap stabil di lingkungan bersuhu tinggi dan memiliki stabilitas termal yang kuat, memastikan kinerjanya konsisten di lingkungan bersuhu tinggi.

- Konduktivitas termal yang tinggi: Meskipun memiliki porositas, Tantalum Carbide Berpori masih mempertahankan konduktivitas termal yang baik, sehingga memastikan perpindahan panas yang efisien.

- Koefisien ekspansi termal rendah: Koefisien ekspansi termal Tantalum Carbide (TaC) yang rendah membantu material tetap stabil secara dimensi di bawah fluktuasi suhu yang signifikan dan mengurangi dampak tekanan termal.

Sifat fisik lapisan TaC：

Dalam manufaktur semikonduktor, Porous Tantalum Carbide (TaC) memainkan peran kunci spesifik berikutS:

Dalam proses suhu tinggi sepertietsa plasmadan CVD, semikonduktor VeTek Porous Tantalum Carbide sering digunakan sebagai lapisan pelindung pada peralatan pemrosesan. Hal ini disebabkan oleh ketahanan korosi yang kuatPelapisan TaCdan stabilitas suhu tinggi. Sifat-sifat ini memastikan bahwa produk ini secara efektif melindungi permukaan yang terpapar gas reaktif atau suhu ekstrem, sehingga memastikan reaksi normal pada proses suhu tinggi.

Dalam proses difusi, Porous Tantalum Carbide dapat berfungsi sebagai penghalang difusi yang efektif untuk mencegah pencampuran bahan dalam proses suhu tinggi. Fitur ini sering digunakan untuk mengontrol difusi dopan dalam proses seperti implantasi ion dan kontrol kemurnian wafer semikonduktor.

Struktur berpori semikonduktor VeTek Porous Tantalum Carbide sangat cocok untuk lingkungan pemrosesan semikonduktor yang memerlukan kontrol aliran atau filtrasi gas yang presisi. Dalam proses ini, Porous TaC terutama berperan sebagai penyaringan dan distribusi gas. Kelambanan kimianya memastikan tidak ada kontaminan yang masuk selama proses filtrasi. Ini secara efektif menjamin kemurnian produk olahan.

Lapisan Tantalum karbida (TaC) pada penampang mikroskopis: