Cina Penerima LED UV Produsen, Pemasok, Pabrik

VeTek Semiconductor adalah produsen yang berspesialisasi dalam Susceptors LED UV, memiliki pengalaman bertahun-tahun dalam penelitian dan pengembangan serta produksi dalam susceptor LED EPI, dan telah diakui oleh banyak pelanggan di industri.

LED, yaitu dioda pemancar cahaya semikonduktor, sifat fisik pendarannya adalah setelah sambungan pn semikonduktor diberi energi, di bawah penggerak potensial listrik, elektron dan lubang pada bahan semikonduktor digabungkan untuk menghasilkan foton, sehingga dapat mencapai pendaran semikonduktor. Oleh karena itu, teknologi epitaksi adalah salah satu fondasi dan inti LED, dan juga merupakan faktor penentu utama karakteristik kelistrikan dan optik LED.

Teknologi Epitaxy (EPI) mengacu pada pertumbuhan bahan kristal tunggal pada substrat kristal tunggal dengan susunan kisi yang sama dengan substrat. Prinsip dasar: Pada substrat yang dipanaskan hingga suhu yang sesuai (terutama substrat safir, substrat SiC, dan substrat Si), zat gas indium (In), galium (Ga), aluminium (Al), fosfor (P) dikontrol ke permukaan substrat untuk menumbuhkan film kristal tunggal tertentu. Saat ini, teknologi pertumbuhan lembaran epitaksi LED terutama menggunakan metode MOCVD (deposisi meteorologi kimia logam organik).

Bahan substrat epitaksi LED

1. LED merah dan kuning:

GaP dan GaAs biasanya digunakan sebagai substrat untuk LED merah dan kuning. Substrat GaP digunakan dalam metode epitaksi fase cair (LPE), menghasilkan rentang panjang gelombang yang luas yaitu 565-700 nm. Untuk metode epitaksi fase gas (VPE), lapisan epitaksi GaAsP ditumbuhkan, menghasilkan panjang gelombang antara 630-650 nm. Saat menggunakan MOCVD, substrat GaAs biasanya digunakan dengan pertumbuhan struktur epitaksi AlInGaP. 

Hal ini membantu mengatasi kelemahan penyerapan cahaya pada substrat GaAs, meskipun hal ini menyebabkan ketidakcocokan kisi, sehingga memerlukan lapisan penyangga untuk menumbuhkan struktur InGaP dan AlGaInP.

VeTek Semiconductor menyediakan susceptor EPI LED dengan lapisan SiC, lapisan TaC:

Penerima EPI LED VEECO Lapisan TaC digunakan pada suseptor LED EPI

2. LED biru dan hijau:

 ● Substrat GaN: Kristal tunggal GaN adalah substrat ideal untuk pertumbuhan GaN, meningkatkan kualitas kristal, umur chip, efisiensi cahaya, dan kepadatan arus. Namun, persiapannya yang sulit membatasi penerapannya.

Substrat Safir: Safir (Al2O3) adalah substrat paling umum untuk pertumbuhan GaN, menawarkan stabilitas kimia yang baik dan tidak ada penyerapan cahaya tampak. Namun, hal ini menghadapi tantangan dengan konduktivitas termal yang tidak memadai dalam pengoperasian chip daya berarus tinggi.

● Substrat SiC: SiC adalah substrat lain yang digunakan untuk pertumbuhan GaN, menempati peringkat kedua dalam pangsa pasar. Ini memberikan stabilitas kimia yang baik, konduktivitas listrik, konduktivitas termal, dan tidak ada penyerapan cahaya tampak. Namun, harganya lebih mahal dan kualitasnya lebih rendah dibandingkan safir. SiC tidak cocok untuk LED UV di bawah 380 nm. Konduktivitas listrik dan termal yang sangat baik dari SiC menghilangkan kebutuhan akan pengikatan flip-chip untuk pembuangan panas pada LED GaN tipe daya pada substrat safir. Struktur elektroda atas dan bawah efektif untuk pembuangan panas pada perangkat LED GaN tipe daya.

Penerima Epitaksi LED Susceptor MOCVD dengan Lapisan TaC

3. EPI LED UV Dalam:

Pada epitaksi LED ultraviolet dalam (DUV), LED UV dalam atau Epitaksi LED DUV, bahan kimia yang umum digunakan sebagai substrat antara lain aluminium nitrida (AlN), silikon karbida (SiC), dan galium nitrida (GaN). Bahan-bahan ini memiliki konduktivitas termal, isolasi listrik, dan kualitas kristal yang baik, sehingga cocok untuk aplikasi LED DUV di lingkungan berdaya tinggi dan bersuhu tinggi. Pemilihan bahan substrat bergantung pada faktor-faktor seperti persyaratan aplikasi, proses fabrikasi, dan pertimbangan biaya.

Suseptor LED UV Dalam Dilapisi SiC Suseptor LED UV Dalam Berlapis TaC