Cincin Deflektor Berlapis TaC

Cincin Deflektor Berlapis TaC Semikonduktor VeTek adalah komponen yang sangat khusus yang dirancang untuk proses pertumbuhan kristal SiC. Lapisan TaC memberikan ketahanan suhu tinggi dan kelembaman kimia yang sangat baik untuk mengatasi suhu tinggi dan lingkungan korosif selama proses pertumbuhan kristal. Hal ini menjamin kinerja yang stabil dan masa pakai komponen yang lama, sehingga mengurangi frekuensi penggantian dan waktu henti. Kami berkomitmen untuk menyediakan produk berkualitas dengan harga bersaing dan berharap dapat menjadi mitra jangka panjang Anda di China.

mengirimkan permintaan

Deskripsi Produk

VeTek Semiconductor adalah produsen dan pemasok Cincin Deflektor Berlapis TaC Tiongkok profesional. Cincin Deflektor Berlapis TaC kami adalah komponen yang sangat khusus yang dirancang untuk digunakan dalam proses pertumbuhan kristal SiC. Komponen-komponen ini sangat penting dalam lingkungan yang memerlukan ketahanan terhadap suhu tinggi, daya tahan luar biasa, dan kelembaman bahan kimia yang tak tertandingi.

Cincin Deflektor Berlapis TaC dibuat dari Tantalum Carbide dengan kemurnian tinggi, yang menawarkan konduktivitas termal yang sangat baik dan ketahanan ekstrem terhadap suhu tinggi dan guncangan termal. Lapisan TaC komponen memberikan lapisan perlindungan tambahan terhadap bahan kimia agresif dan lingkungan keras yang umum terjadi pada pertumbuhan kristal. Kehadiran lapisan meningkatkan daya tahan dan masa pakai komponen, menjaga kinerja yang konsisten selama beberapa siklus.

Cincin Deflektor Berlapis TaC dapat menahan suhu hingga 2200°C, sehingga ideal untuk proses suhu tinggi. Cincin Deflektor Berlapis TaC terutama digunakan dalam industri semikonduktor, khususnya untuk pertumbuhan kristal silikon karbida. Cocok untuk penelitian dan reaktor pertumbuhan kristal skala industri.

Parameter produk Cincin Deflektor Berlapis TaC

Sifat fisik lapisan TaC
Kepadatan	14,3 (g/cm³)
Emisivitas spesifik	0.3
Koefisien ekspansi termal	6.3 10-6/K
Kekerasan (HK)	2000HK
Perlawanan	1×10-5 Ohm*cm
Stabilitas termal	<2500℃
Perubahan ukuran grafit	-10~-20um
Ketebalan lapisan	Nilai tipikal ≥20um (35um±10um)