Cincin Berlapis TaC untuk Reaktor Epitaksi SiC

VeTek Semiconductor adalah Cincin Dilapisi TaC skala besar untuk produsen dan inovator Reaktor Epitaksi SiC di China. Kami telah mengkhususkan diri dalam pelapisan TaC selama bertahun-tahun. Produk kami memiliki kemurnian tinggi, stabilitas tinggi, ketahanan korosi yang sangat baik, kekuatan ikatan yang tinggi. Kami melihat berharap untuk menjadi mitra jangka panjang Anda di Tiongkok.

mengirimkan permintaan

Deskripsi Produk

Pengenalan Produk Cincin Berlapis TaC untuk Reaktor Epitaksi SiC

VeTek Semiconductor adalah perusahaan terkenal yang berbasis di Tiongkok, terkenal dengan keahliannya dalam pembuatan pelapis TaC dan SiC berkualitas tinggi, serta Cincin Dilapisi TaC dengan kemurnian tinggi untuk Reaktor Epitaxial SiC. Kami bangga menawarkan produk unggulan dengan harga bersaing. Kami dengan hangat mengundang Anda untuk menghubungi kami dan menemukan solusi luar biasa yang kami berikan.

Cincin Berlapis TaC kami untuk Reaktor Epitaksi SiC memainkan peran penting. Cincin ini merupakan bagian integral dari rangkaian halfmoon kami, menawarkan fungsi penting seperti penyangga media, kontrol suhu yang presisi, insulasi panas yang efektif, ventilasi yang efisien, dan perlindungan yang andal. Dengan bekerja secara harmonis, cincin ini memastikan kontrol yang cermat terhadap karakteristik ketebalan, doping, dan cacat lapisan epitaksi SiC yang tumbuh di dalam ruang reaksi.

Selain Cincin Berlapis TaC kami yang luar biasa, VeTek Semiconductor menawarkan beragam produk terkait yang dirancang khusus untuk ruang reaksi. Jajaran produk kami mencakup halfmoon atas dan bawah, penutup pelindung, penutup insulasi, dan antarmuka pengalihan udara proses. Masing-masing komponen ini mengalami pelapisan SiC atau TaC yang cermat untuk meningkatkan kinerja dan memperpanjang masa pakainya.

Parameter produk Cincin Berlapis TaC untuk Reaktor Epitaksi SiC

Sifat fisik lapisan TaC
Kepadatan	14,3 (g/cm³)
Emisivitas spesifik	0.3
Koefisien ekspansi termal	6.3 10-6/K
Kekerasan (HK)	2000HK
Perlawanan	1×10-5 Ohm*cm
Stabilitas termal	<2500℃
Perubahan ukuran grafit	-10~-20um
Ketebalan lapisan	Nilai tipikal ≥20um (35um±10um)