> Produk > Lapisan Tantalum Karbida > Suku Cadang Proses Pertumbuhan Kristal Tunggal SiC

produk baru

Cina Suku Cadang Proses Pertumbuhan Kristal Tunggal SiC Produsen, Pemasok, Pabrik

Produk VeTek Semiconductor, produk pelapisan tantalum karbida (TaC) untuk Proses Pertumbuhan Kristal Tunggal SiC, mengatasi tantangan yang terkait dengan antarmuka pertumbuhan kristal silikon karbida (SiC), khususnya cacat komprehensif yang terjadi di tepi kristal. Dengan menerapkan lapisan TaC, kami bertujuan untuk meningkatkan kualitas pertumbuhan kristal dan meningkatkan area efektif pusat kristal, yang sangat penting untuk mencapai pertumbuhan yang cepat dan tebal.

Pelapisan TaC adalah solusi teknologi inti untuk menumbuhkan proses pertumbuhan kristal tunggal SiC berkualitas tinggi. Kami telah berhasil mengembangkan teknologi pelapisan TaC menggunakan deposisi uap kimia (CVD), yang telah mencapai tingkat mahir internasional. TaC memiliki sifat yang luar biasa, termasuk titik leleh tinggi hingga 3880°C, kekuatan mekanik yang sangat baik, kekerasan, dan ketahanan terhadap guncangan termal. Ia juga menunjukkan kelembaman kimia dan stabilitas termal yang baik ketika terkena suhu tinggi dan zat seperti amonia, hidrogen, dan uap yang mengandung silikon.

Lapisan tantalum karbida (TaC) VeTek Semiconductor menawarkan solusi untuk mengatasi masalah terkait edge dalam Proses Pertumbuhan Kristal Tunggal SiC, sehingga meningkatkan kualitas dan efisiensi proses pertumbuhan. Dengan teknologi pelapisan TaC kami yang canggih, kami bertujuan untuk mendukung pengembangan industri semikonduktor generasi ketiga dan mengurangi ketergantungan pada bahan-bahan utama yang diimpor.

Metode PVT Suku cadang proses pertumbuhan kristal tunggal SiC:

Wadah Berlapis TaC, Tempat Benih dengan Lapisan TaC, Cincin Panduan pelapis TaC merupakan bagian penting dalam tungku kristal tunggal SiC dan AIN dengan metode PVT.

Fitur Utama:

-Tahan suhu tinggi

-Kemurnian tinggi, tidak akan mencemari bahan baku SiC dan kristal tunggal SiC.

-Tahan terhadap uap Al dan korosi N₂

-Suhu eutektik tinggi (dengan AlN) untuk memperpendek siklus persiapan kristal.

-Dapat didaur ulang (hingga 200 jam), meningkatkan keberlanjutan dan efisiensi pembuatan kristal tunggal tersebut.

Karakteristik Pelapisan TaC

Sifat fisik khas Lapisan Tac

Sifat fisik lapisan TaC
Kepadatan	14,3 (g/cm³)
Emisivitas spesifik	0.3
Koefisien ekspansi termal	6.3 10-6/K
Kekerasan (HK)	2000HK
Perlawanan	1×10-5 Ohm*cm
Stabilitas termal	<2500℃
Perubahan ukuran grafit	-10~-20um
Ketebalan lapisan	Nilai tipikal ≥20um (35um±10um)

Cincin pengalih berlapis Tantalum karbida Cincin Panduan Pelapisan TaC Cincin Pelapis TaC Pelat Dilapisi Tantalum Karbida Potongan berlapis TaC Tabung pelapis TaC

View as

Cincin Dilapisi Tantalum Karbida

Sebagai inovator profesional dan pemimpin produk Tantalum Carbide Coated Ring di Tiongkok, semikonduktor Tantalum Carbide Coated Ring VeTek memainkan peran yang tak tergantikan dalam pertumbuhan kristal SiC dengan ketahanan suhu tinggi yang sangat baik, ketahanan aus, dan konduktivitas termal yang sangat baik. Selamat datang konsultasi Anda lebih lanjut.

Baca selengkapnya mengirimkan permintaan

Cincin Pelapis CVD TaC

Cincin Pelapis CVD TaC VeTek Semiconductor adalah komponen sangat menguntungkan yang dirancang untuk memenuhi persyaratan proses pertumbuhan kristal silikon karbida (SiC). Cincin Pelapis CVD TaC memberikan ketahanan suhu tinggi dan kelembaman bahan kimia yang luar biasa, menjadikannya pilihan ideal untuk lingkungan yang ditandai dengan suhu tinggi dan kondisi korosif. Kami berkomitmen untuk menyediakan produk berkualitas dengan harga bersaing dan berharap dapat menjadi mitra jangka panjang Anda Di Tiongkok.

Baca selengkapnya mengirimkan permintaan

Grafit Berpori dengan Dilapisi TaC

Grafit Berpori dengan TaC Coated adalah bahan pemrosesan semikonduktor canggih yang disediakan oleh VeTek Semiconductor. Grafit Berpori dengan Lapisan TaC menggabungkan keunggulan grafit berpori dan lapisan tantalum karbida (TaC), dengan konduktivitas termal dan permeabilitas gas yang baik. VeTek Semiconductor berkomitmen untuk menyediakan produk berkualitas dengan harga bersaing, dan kami berharap dapat menjadi mitra jangka panjang Anda di Tiongkok.

Baca selengkapnya mengirimkan permintaan

Tabung Dilapisi Tantalum Karbida untuk Pertumbuhan Kristal

VeTek Semiconductor adalah produsen dan inovator Tantalum Carbide Coated Tube untuk Pertumbuhan Kristal di China. Kami telah mengkhususkan diri dalam pelapisan keramik selama bertahun-tahun. Produk kami memiliki kemurnian tinggi dan tahan suhu tinggi. Kami berharap dapat menjadi mitra jangka panjang Anda Di Tiongkok.

Baca selengkapnya mengirimkan permintaan

Cincin Panduan Dilapisi TaC

VeTek Semiconductor adalah produsen dan inovator Cincin Panduan Berlapis TaC terkemuka di Tiongkok. Kami telah mengkhususkan diri dalam pelapisan keramik selama bertahun-tahun. Cincin Panduan Berlapis TaC terutama digunakan untuk memandu dan mengontrol aliran udara, meningkatkan hasil pertumbuhan kristal tunggal. Selamat datang untuk menanyakan kami untuk informasi lebih lanjut.

Baca selengkapnya mengirimkan permintaan

Pembawa Wafer Grafit Dilapisi TaC

VeTek Semiconductor adalah produsen dan inovator Pembawa Wafer Grafit Berlapis TaC terkemuka di Tiongkok. Kami telah mengkhususkan diri dalam pelapisan SiC dan TaC selama bertahun-tahun. Pembawa wafer grafit berlapis TaC kami memiliki ketahanan suhu yang lebih tinggi dan tahan aus. Kami berharap dapat menjadi mitra jangka panjang Anda di Tiongkok.

Baca selengkapnya mengirimkan permintaan

<1 >

Sebagai produsen dan pemasok Suku Cadang Proses Pertumbuhan Kristal Tunggal SiC profesional di Tiongkok, kami memiliki pabrik sendiri. Apakah Anda memerlukan layanan khusus untuk memenuhi kebutuhan spesifik wilayah Anda atau ingin membeli Suku Cadang Proses Pertumbuhan Kristal Tunggal SiC canggih dan tahan lama buatan Tiongkok, Anda dapat meninggalkan pesan kepada kami.