Pembawa Wafer Pelapis CVD TaC

Selama proses pembuatan semikonduktor, VeTek Semiconductor'sPembawa Wafer Pelapis CVD TaCadalah nampan yang digunakan untuk membawa wafer. Produk ini menggunakan proses chemical vapor deposition (CVD) untuk melapisi lapisan TaC Coating pada permukaannyaSubstrat Pembawa Wafer. Lapisan ini secara signifikan dapat meningkatkan ketahanan oksidasi dan korosi pada pembawa wafer, sekaligus mengurangi kontaminasi partikel selama pemrosesan. Ini adalah komponen penting dalam pemrosesan semikonduktor.

Semikonduktor VeTekPembawa Wafer Pelapis CVD TaCterdiri dari substrat dan alapisan tantalum karbida (TaC)..

Ketebalan lapisan tantalum karbida biasanya berada pada kisaran 30 mikron, dan TaC memiliki titik leleh setinggi 3.880°C sekaligus memberikan ketahanan terhadap korosi dan aus yang sangat baik, serta sifat-sifat lainnya.

Bahan dasar pembawa terbuat dari grafit dengan kemurnian tinggi atausilikon karbida (SiC), dan kemudian lapisan TaC (kekerasan Knoop hingga 2000HK) dilapisi pada permukaan melalui proses CVD untuk meningkatkan ketahanan terhadap korosi dan kekuatan mekanik.

Pembawa Wafer Pelapis CVD TaC VeTek Semiconductor biasanyamemainkan peran berikut selama proses pembawa wafer:

Pemuatan dan fiksasi wafer: Kekerasan Knoop tantalum karbida mencapai 2000HK, yang secara efektif dapat memastikan dukungan stabil wafer di ruang reaksi. Dikombinasikan dengan konduktivitas termal TaC yang baik (konduktivitas termal sekitar 21 W/mK), dapat membuat permukaan wafer dipanaskan secara merata dan mempertahankan distribusi suhu yang seragam, yang membantu mencapai pertumbuhan lapisan epitaksi yang seragam.

Mengurangi kontaminasi partikel: Permukaan halus dan kekerasan tinggi pada lapisan CVD TaC membantu mengurangi gesekan antara pembawa dan wafer, sehingga mengurangi risiko kontaminasi partikel, yang merupakan kunci dalam pembuatan perangkat semikonduktor berkualitas tinggi.

Stabilitas suhu tinggi: Selama pemrosesan semikonduktor, suhu pengoperasian sebenarnya biasanya antara 1.200°C dan 1.600°C, dan lapisan TaC memiliki titik leleh setinggi 3.880°C. Dikombinasikan dengan koefisien muai panas yang rendah (koefisien muai panas kira-kira 6,3 × 10⁻⁶/°C), pembawa dapat mempertahankan kekuatan mekanik dan stabilitas dimensinya dalam kondisi suhu tinggi, mencegah wafer retak atau deformasi tegangan selama pemrosesan.

Lapisan Tantalum karbida (TaC) pada penampang mikroskopis:

Sifat fisik dasar lapisan CVD TaC：