Pembawa Wafer Grafit Dilapisi TaC

VeTek Semiconductor adalah produsen dan inovator Pembawa Wafer Grafit Berlapis TaC terkemuka di Tiongkok. Kami telah mengkhususkan diri dalam pelapisan SiC dan TaC selama bertahun-tahun. Pembawa wafer grafit berlapis TaC kami memiliki ketahanan suhu yang lebih tinggi dan tahan aus. Kami berharap dapat menjadi mitra jangka panjang Anda di Tiongkok.

mengirimkan permintaan

Deskripsi Produk

Anda dapat yakin untuk membeli Pembawa Wafer Grafit Berlapis TaC khusus dari VeTek Semiconductor. Kami berharap dapat bekerja sama dengan Anda, jika Anda ingin tahu lebih banyak, Anda dapat berkonsultasi dengan kami sekarang, kami akan membalas Anda tepat waktu!

VeTek Semiconductor TaC Coated Graphite Wafer Carrier berinteraksi langsung dengan wafer di reaktor epitaksi, meningkatkan efisiensi dan kinerja. Dengan pilihan lapisan silikon karbida atau tantalum karbida, VeTek Semiconductor TaC Coated Graphite Wafer Carrier menawarkan masa pakai yang lebih lama, hingga 2-3 kali lebih lama dengan tantalum karbida. Kompatibel dengan berbagai model mesin, termasuk tungku epitaksi LPE SiC, JSG, tungku epitaksi NASO.

Pembawa grafit berlapis TaC Semikonduktor VeTek memastikan stoikiometri reaksi yang tepat, mencegah migrasi pengotor, dan menjaga stabilitas suhu melebihi 2000°C. Ini menunjukkan ketahanan yang luar biasa terhadap H2, NH3, SiH4, dan Si, melindungi terhadap lingkungan kimia yang keras. Dengan menahan guncangan termal, ini memungkinkan siklus operasional yang cepat tanpa delaminasi lapisan.

Lapisan VeTek Semiconductor TaC menjamin kemurnian ultra-tinggi, menghilangkan kotoran, dan memastikan cakupan konformal memenuhi toleransi dimensi yang ketat. Dengan kemampuan pemrosesan grafit canggih VeTek Semiconductor, kami dilengkapi untuk memenuhi kebutuhan penyesuaian Anda. Baik Anda memerlukan layanan pelapisan atau solusi komprehensif, tim teknisi ahli kami siap merancang solusi sempurna untuk aplikasi spesifik Anda. Percayakan kepada kami untuk memberikan produk berkualitas tinggi yang disesuaikan dengan kebutuhan dan harapan Anda.

Metode PVT Pertumbuhan Kristal SiC

Parameter produk Pembawa Wafer Grafit Berlapis TaC

Sifat fisik lapisan TaC
Kepadatan	14,3 (g/cm³)
Emisivitas spesifik	0.3
Koefisien ekspansi termal	6.3 10-6/K
Kekerasan (HK)	2000HK
Perlawanan	1×10-5 Ohm*cm
Stabilitas termal	<2500℃
Perubahan ukuran grafit	-10~-20um
Ketebalan lapisan	Nilai tipikal ≥20um (35um±10um)