Cincin Pelapis CVD TaC

Cincin Pelapis CVD TaC VeTek Semiconductor adalah komponen sangat menguntungkan yang dirancang untuk memenuhi persyaratan proses pertumbuhan kristal silikon karbida (SiC). Cincin Pelapis CVD TaC memberikan ketahanan suhu tinggi dan kelembaman bahan kimia yang luar biasa, menjadikannya pilihan ideal untuk lingkungan yang ditandai dengan suhu tinggi dan kondisi korosif. Kami berkomitmen untuk menyediakan produk berkualitas dengan harga bersaing dan berharap dapat menjadi mitra jangka panjang Anda Di Tiongkok.

mengirimkan permintaan

Deskripsi Produk

Cincin Pelapis CVD TaC VeTek Semiconductor adalah komponen penting untuk keberhasilan pertumbuhan kristal tunggal silikon karbida. Dengan ketahanan suhu tinggi, kelembaman kimia, dan kinerja unggul, ini memastikan produksi kristal berkualitas tinggi dengan hasil yang konsisten. Percayai solusi inovatif kami untuk meningkatkan proses pertumbuhan kristal SiC metode PVT Anda dan mencapai hasil yang luar biasa.

Selama pertumbuhan kristal tunggal silikon karbida, Cincin Pelapis CVD TaC memainkan peran penting dalam memastikan hasil yang optimal. Dimensinya yang presisi dan lapisan TaC berkualitas tinggi memungkinkan distribusi suhu yang seragam, meminimalkan tekanan termal, dan meningkatkan kualitas kristal. Konduktivitas termal yang unggul dari lapisan TaC memfasilitasi pembuangan panas yang efisien, berkontribusi terhadap peningkatan laju pertumbuhan dan peningkatan karakteristik kristal. Konstruksinya yang kokoh dan stabilitas termal yang sangat baik memastikan kinerja yang andal dan masa pakai yang lebih lama, mengurangi kebutuhan akan penggantian yang sering dan meminimalkan waktu henti produksi.

Kelambanan kimiawi Cincin Pelapis TaC CVD sangat penting dalam mencegah reaksi dan kontaminasi yang tidak diinginkan selama proses pertumbuhan kristal SiC. Ini memberikan penghalang pelindung, menjaga integritas kristal dan meminimalkan kotoran. Hal ini berkontribusi pada produksi kristal tunggal berkualitas tinggi dan bebas cacat dengan sifat listrik dan optik yang sangat baik.

Selain kinerjanya yang luar biasa, Cincin Pelapis CVD TaC dirancang untuk kemudahan pemasangan dan pemeliharaan. Kompatibilitasnya dengan peralatan yang ada dan integrasi yang lancar memastikan pengoperasian yang efisien dan peningkatan produktivitas.

Andalkan VeTek Semiconductor dan CVD TaC Coating Ring kami untuk kinerja yang andal dan efisien, menempatkan Anda di garis depan teknologi pertumbuhan kristal SiC.

Metode PVT Pertumbuhan Kristal SiC:

Tungku Pertumbuhan Kristal SiC:

Spesifikasi Cincin Pelapis CVD TaC:

Sifat fisik lapisan TaC
Kepadatan	14,3 (g/cm³)
Emisivitas spesifik	0.3
Koefisien ekspansi termal	6.3 10-6/K
Kekerasan (HK)	2000HK
Perlawanan	1×10-5 Ohm*cm
Stabilitas termal	<2500℃
Perubahan ukuran grafit	-10~-20um
Ketebalan lapisan	Nilai tipikal ≥20um (35um±10um)