Grafit Berpori dengan Dilapisi TaC

Grafit Berpori dengan TaC Coated adalah bahan pemrosesan semikonduktor canggih yang disediakan oleh VeTek Semiconductor. Grafit Berpori dengan Lapisan TaC menggabungkan keunggulan grafit berpori dan lapisan tantalum karbida (TaC), dengan konduktivitas termal dan permeabilitas gas yang baik. VeTek Semiconductor berkomitmen untuk menyediakan produk berkualitas dengan harga bersaing, dan kami berharap dapat menjadi mitra jangka panjang Anda di Tiongkok.

mengirimkan permintaan

Deskripsi Produk

VeTek Semiconductor adalah produsen & pemasok China yang terutama memproduksiGrafit Berporidengan TaC Coated dengan pengalaman bertahun-tahun. Berharap untuk membangun hubungan bisnis dengan Anda.

VeTek Semiconductor Porous Graphite dengan material TaC Coated adalah material manufaktur semikonduktor revolusioner yang secara sempurna menggabungkan grafit berpori dengan lapisan tantalum carbide (TaC). Grafit Berpori dengan material TaC Coated ini memiliki permeabilitas yang sangat baik dan porositas yang tinggi, dengan porositas maksimum 75%, mencetak rekor industri internasional. Lapisan TaC dengan kemurnian tinggi tidak hanya meningkatkan ketahanan terhadap korosi dan keausan grafit berpori, namun juga memberikan lapisan perlindungan tambahan, sehingga secara efektif memecahkan tantangan seperti pemrosesan dan korosi.

Penggunaan grafit berpori berlapis TaC dapat meningkatkan efisiensi dan kualitas proses pembuatan semikonduktor secara signifikan. Permeabilitasnya yang sangat baik memastikan stabilitas material dalam kondisi suhu tinggi dan secara efektif mengontrol peningkatan pengotor karbon. Pada saat yang sama, desain porositas tinggi memberikan kinerja difusi gas yang lebih baik untuk membantu menjaga lingkungan pertumbuhan yang murni.

Kami berkomitmen untuk menyediakan kepada pelanggan Grafit Berpori yang sangat baik dengan bahan TaC Coated untuk memenuhi kebutuhan industri manufaktur semikonduktor. Baik di laboratorium penelitian atau produksi industri, material canggih ini dapat membantu Anda mencapai kinerja dan keandalan yang unggul. Hubungi kami hari ini untuk mempelajari lebih lanjut tentang material revolusioner ini dan memulai perjalanan inovasi Anda untuk mendorong manufaktur semikonduktor.

Metode PVT Pertumbuhan Kristal SiC

PVT method SiC Crystal Growth working diagram

Parameter produk Grafit Berpori dengan Lapisan TaC

Sifat fisik lapisan TaC
Kepadatan lapisan TaC	14,3 (g/cm³)
Emisivitas spesifik	0.3
Koefisien ekspansi termal	6.3 10^-6/K
Kekerasan lapisan TaC (HK)	2000HK
Perlawanan	1×10^-5Ohm*cm
Stabilitas termal	<2500℃
Perubahan ukuran grafit	-10~-20um
Ketebalan lapisan	Nilai tipikal ≥20um (35um±10um)