Penerima epitaksi GaN

VeTek Semiconductor adalah perusahaan Cina yang merupakan produsen dan pemasok susceptor GaN Epitaxy kelas dunia. Kami telah lama berkecimpung di industri semikonduktor seperti pelapis silikon karbida dan susceptor GaN Epitaxy. Kami dapat menyediakan Anda dengan produk unggulan dan harga yang menguntungkan. VeTek Semiconductor berharap dapat menjadi mitra jangka panjang Anda.

mengirimkan permintaan

Deskripsi Produk

Epitaksi GaN adalah teknologi manufaktur semikonduktor canggih yang digunakan untuk memproduksi perangkat elektronik dan optoelektronik berkinerja tinggi. Menurut bahan substrat yang berbeda,wafer epitaksi GaNdapat dibagi menjadi GaN berbasis GaN, GaN berbasis SiC, GaN berbasis Safir danGaN-on-Si.

MOCVD process to generate GaN epitaxy

Skema sederhana dari proses MOCVD untuk menghasilkan epitaksi GaN

Dalam produksi epitaksi GaN, substrat tidak bisa begitu saja ditempatkan di suatu tempat untuk pengendapan epitaksi, karena melibatkan berbagai faktor seperti arah aliran gas, suhu, tekanan, fiksasi, dan kontaminan yang jatuh. Oleh karena itu diperlukan suatu basa, kemudian substrat ditempatkan pada disk, kemudian dilakukan pengendapan epitaksi pada substrat menggunakan teknologi CVD. Basis ini adalah suseptor GaN Epitaxy.

GaN Epitaxy Susceptor

Ketidaksesuaian kisi antara SiC dan GaN kecil karena konduktivitas termal SiC jauh lebih tinggi dibandingkan GaN, Si, dan safir. Oleh karena itu, terlepas dari substrat wafer epitaksi GaN, susceptor GaN Epitaxy dengan lapisan SiC dapat secara signifikan meningkatkan karakteristik termal perangkat dan mengurangi suhu sambungan perangkat.

Lattice mismatch and thermal mismatch relationships

Ketidakcocokan kisi dan hubungan ketidakcocokan termal bahan

Susceptor GaN Epitaxy yang diproduksi oleh VeTek Semiconductor memiliki karakteristik sebagai berikut:

Bahan: Susceptor terbuat dari grafit dengan kemurnian tinggi dan lapisan SiC, yang memungkinkan susceptor GaN Epitaxy tahan terhadap suhu tinggi dan memberikan stabilitas yang sangat baik selama pembuatan epitaksi. Susceptor GaN Epitaxy dari VeTek Semiconductor dapat mencapai kemurnian 99,9999% dan kandungan pengotor kurang dari 5ppm.

Konduktivitas termal: Kinerja termal yang baik memungkinkan kontrol suhu yang presisi, dan konduktivitas termal yang baik dari susceptor GaN Epitaxy memastikan pengendapan epitaksi GaN yang seragam.

Stabilitas kimia: Lapisan SiC mencegah kontaminasi dan korosi, sehingga suseptor GaN Epitaxy dapat tahan terhadap lingkungan kimia yang keras dari sistem MOCVD dan memastikan produksi epitaksi GaN normal.

Desain: Desain struktur dilakukan sesuai kebutuhan pelanggan, seperti susceptor berbentuk tong atau pancake. Struktur yang berbeda dioptimalkan untuk teknologi pertumbuhan epitaksi yang berbeda untuk memastikan hasil wafer dan keseragaman lapisan yang lebih baik.

Apa pun kebutuhan Anda akan susceptor GaN Epitaxy, VeTek Semiconductor dapat memberi Anda produk dan solusi terbaik. Menantikan konsultasi Anda kapan saja.

Sifat fisik dasar dariLapisan CVD SiC:

Sifat fisik dasar lapisan CVD SiC
Milik	Nilai Khas
Struktur Kristal	FCC β phase polikristalin, terutama berorientasi (111).
Kepadatan	3,21 gram/cm³
Kekerasan	Kekerasan Vickers 2500（beban 500g）
Butir Size	2~10μm
Kemurnian Kimia	99,99995%
Kapasitas Panas	640J·kg^-1·K^-1
Suhu Sublimasi	2700℃
Kekuatan Lentur	415 MPa RT 4 titik
Modulus Muda	tikungan 430 Gpa 4pt, 1300℃
Konduktivitas Termal	300W·m^-1·K^-1
Ekspansi Termal (CTE)	4,5×10^-6K^-1