Suseptor barel pelapis CVD SiC

Pertumbuhan epitaksi adalah proses menumbuhkan film kristal tunggal (single crystal layer) pada substrat kristal tunggal (substrat). Film kristal tunggal ini disebut epilayer. Jika lapisan epilayer dan substrat terbuat dari bahan yang sama, hal ini disebut pertumbuhan homoepitaksial; bila terbuat dari bahan yang berbeda, ini disebut pertumbuhan heteroepitaksial.

Menurut struktur ruang reaksi epitaksial, ada dua jenis: horizontal dan vertikal. Susceptor tungku epitaksi vertikal berputar terus menerus selama pengoperasian, sehingga memiliki keseragaman yang baik dan volume produksi yang besar, dan telah menjadi solusi pertumbuhan epitaksi utama. Susceptor barel pelapis CVD SiC adalah komponen inti dari tungku epitaksi tipe barel. Dan VeTek Semiconductor adalah ahli produksi SiC Coated Graphite Barrel Susceptor untuk EPI.

Dalam peralatan pertumbuhan epitaksi seperti MOCVD dan HVPE, Susceptors Barel Grafit Berlapis SiC digunakan untuk memperbaiki wafer guna memastikan wafer tetap stabil selama proses pertumbuhan. Wafer ditempatkan pada susceptor tipe barel. Saat proses produksi berlangsung, susceptor berputar terus menerus untuk memanaskan wafer secara merata, sementara permukaan wafer terkena aliran gas reaksi, yang pada akhirnya mencapai pertumbuhan epitaksi yang seragam.

Skema susceptor tipe barel pelapis CVD SiC

Tungku pertumbuhan epitaksi adalah lingkungan bersuhu tinggi yang diisi dengan gas korosif. Untuk mengatasi lingkungan yang keras seperti itu, VeTek Semiconductor menambahkan lapisan lapisan SiC pada susceptor barel grafit melalui metode CVD, sehingga diperoleh Susceptor Barel Grafit Berlapis SiC

Fitur struktural:

●  Distribusi suhu yang seragam: Struktur berbentuk tong dapat mendistribusikan panas secara lebih merata dan menghindari tekanan atau deformasi wafer akibat panas berlebih atau pendinginan lokal.

●  Mengurangi gangguan aliran udara: Desain susceptor berbentuk barel dapat mengoptimalkan distribusi aliran udara di ruang reaksi, memungkinkan gas mengalir dengan lancar di atas permukaan wafer, sehingga membantu menghasilkan lapisan epitaksi yang rata dan seragam.

●  Mekanisme rotasi: Mekanisme rotasi susceptor berbentuk tong meningkatkan konsistensi ketebalan dan sifat material lapisan epitaksi.

●  Produksi skala besar: Susceptor berbentuk tong dapat menjaga stabilitas strukturalnya saat membawa wafer besar, seperti wafer 200 mm atau 300 mm, yang cocok untuk produksi massal skala besar.

Susceptor jenis barel pelapis CVD SiC Semikonduktor VeTek terdiri dari grafit dengan kemurnian tinggi dan lapisan CVD SIC, yang memungkinkan susceptor bekerja untuk waktu yang lama di lingkungan gas korosif dan memiliki konduktivitas termal yang baik serta dukungan mekanis yang stabil. Pastikan wafer dipanaskan secara merata dan mencapai pertumbuhan epitaksial yang tepat.

Sifat fisik dasar lapisan CVD SiC

Sifat fisik dasar lapisan CVD SiC
Milik	Nilai Khas
Struktur Kristal	Polikristalin fase β FCC, terutama berorientasi (111).
Kepadatan	3,21 gram/cm³
Kekerasan	Kekerasan Vickers 2500（beban 500g）
Ukuran Butir	2~10μm
Kemurnian Kimia	99,99995%
Kapasitas Panas	640J·kg-1·K-1
Suhu Sublimasi	2700℃
Kekuatan Lentur	415 MPa RT 4 titik
Modulus Young	tikungan 430 Gpa 4pt, 1300℃
Konduktivitas Termal	300W·m-1·K-1
Ekspansi Termal (CTE)	4,5×10-6K-1

Susceptor tipe barel pelapis VeTek Semiconductor CVD SiC