Susceptor Epitaxial GaN berbasis silikon

VeTek Semiconductor adalah produsen dan pemasok profesional, yang berdedikasi untuk menyediakan GaN Epitaxial Susceptor berbasis Silikon berkualitas tinggi. Semikonduktor susceptor digunakan dalam sistem VEECO K465i GaN MOCVD, kemurnian tinggi, tahan suhu tinggi, tahan korosi, selamat datang untuk bertanya dan bekerja sama dengan kami!

mengirimkan permintaan

Deskripsi Produk

VeTek Semiconducto adalah pemimpin profesional produsen GaN Epitaxial Susceptor berbasis Silikon China dengan kualitas tinggi dan harga terjangkau. Selamat datang untuk menghubungi kami.

Susceptor Epitaxial GaN Berbasis Silikon Semikonduktor VeTek adalah Susceptor Epitaxial GaN berbasis Silikon adalah komponen kunci dalam sistem MOCVD GaN VEECO K465i untuk mendukung dan memanaskan substrat Silikon dari bahan GaN selama pertumbuhan epitaksi.

VeTek Semiconductor GaN Epitaxial Susceptor berbasis silikon mengadopsi bahan grafit dengan kemurnian tinggi dan berkualitas tinggi sebagai substrat, yang memiliki stabilitas dan konduksi panas yang baik dalam proses pertumbuhan epitaxial. Substrat ini mampu menahan lingkungan bersuhu tinggi, memastikan stabilitas dan keandalan proses pertumbuhan epitaksi.

Untuk meningkatkan efisiensi dan kualitas pertumbuhan epitaksi, lapisan permukaan susceptor ini menggunakan silikon karbida dengan kemurnian tinggi dan keseragaman tinggi. Lapisan silikon karbida memiliki ketahanan suhu tinggi dan stabilitas kimia yang sangat baik, serta secara efektif dapat menahan reaksi kimia dan korosi dalam proses pertumbuhan epitaksi.

Desain dan pemilihan material susceptor wafer ini dirancang untuk memberikan konduktivitas termal, stabilitas kimia, dan kekuatan mekanik yang optimal untuk mendukung pertumbuhan epitaksi GaN berkualitas tinggi. Kemurnian tinggi dan keseragaman tinggi memastikan konsistensi dan keseragaman selama pertumbuhan, menghasilkan film GaN berkualitas tinggi.

Secara umum, susceptor GaN Epitaxial berbasis silikon adalah produk berkinerja tinggi yang dirancang khusus untuk sistem VEECO K465i GaN MOCVD dengan menggunakan substrat grafit dengan kemurnian tinggi, kualitas tinggi, dan lapisan silikon karbida dengan kemurnian tinggi dan keseragaman tinggi. Ini memberikan stabilitas, keandalan, dan dukungan berkualitas tinggi untuk proses pertumbuhan epitaksi.

Sifat fisik grafit isostatik
Properti	Satuan	Nilai khas
Kepadatan Massal	gram/cm³	1.83
Kekerasan	HSD	58
Resistivitas Listrik	ibu.m	10
Kekuatan Lentur	MPa	47
Kekuatan Tekan	MPa	103
Daya tarik	MPa	31
Modulus Muda	IPK	11.8
Ekspansi Termal (CTE)	10-6K-1	4.6
Konduktivitas termal	W·m-1·K-1	130
Ukuran Butir Rata-rata	m	8-10
Porositas	%	10
Kandungan Abu	ppm	≤10 (setelah dimurnikan)

Sifat Fisik Susceptor Epitaxial GaN berbasis silikon:

Sifat fisik dasar lapisan CVD SiC
Properti	Nilai khas
Struktur kristal	Polikristalin fase β FCC, terutama berorientasi (111).
Kepadatan	3,21 gram/cm³
Kekerasan	Kekerasan Vickers 2500（beban 500g）
Ukuran butir	2~10μm
Kemurnian Kimia	99,99995%
Kapasitas Panas	640 J·kg-1·K-1
Suhu Sublimasi	2700℃
Kekuatan Lentur	415 MPa RT 4 titik
Modulus Muda	tikungan 430 Gpa 4pt, 1300℃
Konduktivitas termal	300W·m-1·K-1
Ekspansi Termal (CTE)	4,5×10-6K-1