Bagian Halfmoon Atas Dilapisi SiC

VeTek Semiconductor adalah pemasok terkemuka SiC Bagian Halfmoon Atas yang dilapisi khusus di Tiongkok, yang mengkhususkan diri pada material canggih selama lebih dari 20 tahun. VeTek Semiconductor Upper Halfmoon Part SiC dilapisi dirancang khusus untuk peralatan epitaksi SiC, berfungsi sebagai komponen penting dalam ruang reaksi. Terbuat dari grafit tingkat semikonduktor ultra murni, memastikan kinerja luar biasa. Kami mengundang Anda untuk mengunjungi pabrik kami di Cina.

mengirimkan permintaan

Deskripsi Produk

Sebagai produsen profesional, kami ingin memberi Anda lapisan SiC Bagian Halfmoon Atas berkualitas tinggi.

Bagian Halfmoon Atas Semikonduktor VeTek yang dilapisi SiC dirancang khusus untuk ruang epitaksi SiC. Mereka memiliki beragam aplikasi dan kompatibel dengan berbagai model peralatan.

Skenario Aplikasi:

Di VeTek Semiconductor, kami mengkhususkan diri dalam pembuatan Upper Halfmoon Part SiC yang dilapisi dengan kualitas tinggi. Produk berlapis SiC dan TaC kami dirancang khusus untuk ruang epitaksi SiC dan menawarkan kompatibilitas luas dengan model peralatan yang berbeda.

VeTek Semiconductor Upper Halfmoon Part yang dilapisi SiC berfungsi sebagai komponen dalam ruang epitaksi SiC. Mereka memastikan kondisi suhu terkendali dan kontak tidak langsung dengan wafer, menjaga kandungan pengotor di bawah 5 ppm.

Untuk memastikan kualitas lapisan epitaksi yang optimal, kami memantau dengan cermat parameter penting seperti ketebalan dan keseragaman konsentrasi doping. Penilaian kami meliputi analisis data ketebalan film, konsentrasi pembawa, keseragaman, dan kekasaran permukaan untuk mencapai kualitas produk terbaik.

Lapisan SiC Bagian Atas Semikonduktor Semikonduktor VeTek kompatibel dengan berbagai model peralatan, termasuk LPE, NAURA, JSG, CETC, NASO TECH, dan banyak lagi.

Hubungi kami hari ini untuk menjelajahi lapisan SiC Bagian Halfmoon Atas kami yang berkualitas tinggi atau menjadwalkan kunjungan ke pabrik kami.

Sifat fisik dasar lapisan CVD SiC:

Sifat fisik dasar lapisan CVD SiC
Properti	Nilai khas
Struktur kristal	Polikristalin fase β FCC, terutama berorientasi (111).
Kepadatan	3,21 gram/cm³
Kekerasan	Kekerasan Vickers 2500（beban 500g）
Ukuran butir	2~10μm
Kemurnian Kimia	99,99995%
Kapasitas Panas	640 J·kg-1·K-1
Suhu Sublimasi	2700℃
Kekuatan Lentur	415 MPa RT 4 titik
Modulus Muda	tikungan 430 Gpa 4pt, 1300℃
Konduktivitas termal	300W·m-1·K-1
Ekspansi Termal (CTE)	4,5×10-6K-1