Halfmoon Bawah Grafit Ultra Murni

VeTek Semiconductor adalah pemasok terkemuka Halfmoon Bawah Grafit Ultra Murni yang disesuaikan di Tiongkok, yang mengkhususkan diri pada material canggih selama bertahun-tahun. Halfmoon Bawah Grafit Ultra Murni kami dirancang khusus untuk peralatan epitaksi SiC, memastikan kinerja yang sangat baik. Terbuat dari grafit impor ultra murni, ia menawarkan keandalan dan daya tahan. Kunjungi pabrik kami di Tiongkok untuk menjelajahi Halfmoon Bawah Grafit Ultra Murni kami yang berkualitas tinggi secara langsung.

mengirimkan permintaan

Deskripsi Produk

VeTek Semiconductor adalah produsen profesional yang berdedikasi untuk menyediakan Halfmoon Bawah Grafit Ultra Murni. Produk kami Ultra Pure Graphite Lower Halfmoon dirancang khusus untuk ruang epitaksi SiC dan menawarkan kinerja unggul serta kompatibilitas dengan berbagai model peralatan.

Fitur:

Koneksi: VeTek Semiconductor Ultra Pure Graphite Lower Halfmoon dirancang untuk terhubung dengan tabung kuarsa, memfasilitasi aliran gas untuk mendorong rotasi basis pembawa.

Kontrol Suhu: Produk ini memungkinkan kontrol suhu, memastikan kondisi optimal di dalam ruang reaksi.

Desain Non-Kontak: Dipasang di dalam ruang reaksi, Halfmoon Bawah Grafit Ultra Murni kami tidak bersentuhan langsung dengan wafer, sehingga memastikan integritas proses.

Skenario Aplikasi:

Halfmoon Bawah Grafit Ultra Murni kami berfungsi sebagai komponen penting dalam ruang epitaksi SiC, yang membantu menjaga kandungan pengotor di bawah 5 ppm. Dengan memantau secara ketat parameter seperti ketebalan dan keseragaman konsentrasi doping, kami memastikan lapisan epitaksi dengan kualitas terbaik.

Kesesuaian:

Halfmoon Bawah Grafit Ultra Murni Semikonduktor VeTek kompatibel dengan berbagai model peralatan, termasuk LPE, NAURA, JSG, CETC, NASO TECH, dan sebagainya.

Kami mengundang Anda untuk mengunjungi pabrik kami di Tiongkok untuk menjelajahi Halfmoon Bawah Grafit Ultra Murni kami yang berkualitas tinggi secara langsung.

Sifat fisik dasar lapisan CVD SiC:

Sifat fisik dasar lapisan CVD SiC
Properti	Nilai khas
Struktur kristal	Polikristalin fase β FCC, terutama berorientasi (111).
Kepadatan	3,21 gram/cm³
Kekerasan	Kekerasan Vickers 2500（beban 500g）
Ukuran butir	2~10μm
Kemurnian Kimia	99,99995%
Kapasitas Panas	640 J·kg-1·K-1
Suhu Sublimasi	2700℃
Kekuatan Lentur	415 MPa RT 4 titik
Modulus Muda	tikungan 430 Gpa 4pt, 1300℃
Konduktivitas termal	300W·m-1·K-1
Ekspansi Termal (CTE)	4,5×10-6K-1