Penutup Dilapisi Tantalum Karbida

VeTek Semiconductor adalah produsen dan inovator Tantalum Carbide Coated Cover terkemuka di China. Kami telah mengkhususkan diri dalam pelapisan TaC dan SiC selama bertahun-tahun. Produk kami memiliki ketahanan terhadap korosi, kekuatan tinggi. Kami berharap dapat menjadi mitra jangka panjang Anda di Tiongkok.

mengirimkan permintaan

Deskripsi Produk

Temukan banyak pilihan Penutup Dilapisi Tantalum Karbida dari Tiongkok di VeTek Semiconductor. Memberikan layanan purna jual yang profesional dan harga yang tepat, menantikan kerjasama. Penutup Dilapisi Tantalum Carbide yang dikembangkan oleh VeTek Semiconductor adalah aksesori yang dirancang khusus untuk sistem AIXTRON G10 MOCVD, yang bertujuan untuk mengoptimalkan efisiensi dan meningkatkan kualitas manufaktur semikonduktor. Ini dibuat dengan cermat menggunakan bahan berkualitas tinggi dan diproduksi dengan presisi maksimal, memastikan kinerja dan keandalan luar biasa untuk proses Deposisi Uap Kimia Organik Logam (MOCVD).

Dibangun dengan substrat grafit yang dilapisi dengan Deposisi Uap Kimia (CVD) Tantalum Carbide (TaC), Tantalum Carbide Coated Cover menawarkan stabilitas termal yang luar biasa, kemurnian tinggi, dan ketahanan terhadap suhu tinggi. Kombinasi material yang unik ini memberikan solusi yang andal untuk kondisi operasional sistem MOCVD yang berat.

Penutup Dilapisi Tantalum Karbida dapat disesuaikan untuk mengakomodasi berbagai ukuran wafer semikonduktor, sehingga cocok untuk beragam kebutuhan produksi. Konstruksi kokohnya dirancang khusus untuk tahan terhadap lingkungan MOCVD yang menantang, memastikan kinerja tahan lama dan meminimalkan waktu henti dan biaya pemeliharaan yang terkait dengan pembawa wafer dan susceptor.

Dengan menggabungkan penutup TaC ke dalam sistem AIXTRON G10 MOCVD, produsen semikonduktor dapat mencapai efisiensi yang lebih tinggi dan hasil yang unggul. Stabilitas termal yang luar biasa, kompatibilitas dengan ukuran wafer yang berbeda, dan kinerja Planetary Disk yang andal menjadikannya alat yang sangat diperlukan untuk mengoptimalkan efisiensi produksi dan mencapai hasil luar biasa dalam proses MOCVD.

Parameter produk Penutup Dilapisi Tantalum Carbide

Sifat fisik lapisan TaC
Kepadatan	14,3 (g/cm³)
Emisivitas spesifik	0.3
Koefisien ekspansi termal	6.3 10-6/K
Kekerasan (HK)	2000HK
Perlawanan	1×10-5 Ohm*cm
Stabilitas termal	<2500℃
Perubahan ukuran grafit	-10~-20um
Ketebalan lapisan	Nilai tipikal ≥20um (35um±10um)