Penerima Lapisan TaC

VeTek Semiconductor menghadirkan TaC Coating Susceptor, Dengan lapisan TaC yang luar biasa, susceptor ini menawarkan banyak keunggulan yang membedakannya dari solusi konvensional. Terintegrasi secara mulus ke dalam sistem yang ada, TaC Coating Susceptor dari VeTek Semiconductor menjamin kompatibilitas dan pengoperasian yang efisien. Kinerjanya yang andal dan lapisan TaC berkualitas tinggi secara konsisten memberikan hasil luar biasa dalam proses epitaksi SiC. Kami berkomitmen untuk menyediakan produk berkualitas dengan harga bersaing dan berharap dapat menjadi mitra jangka panjang Anda di Tiongkok.

mengirimkan permintaan

Deskripsi Produk

Susceptor dan cincin berlapis TaC VeTek Semiconductor bekerja bersama dalam reaktor pertumbuhan epitaksi silikon karbida LPE:

Ketahanan Suhu Tinggi: Susceptor lapisan TaC memiliki ketahanan suhu tinggi yang sangat baik, mampu menahan suhu ekstrim hingga 1500°C di reaktor LPE. Hal ini memastikan peralatan dan komponen tidak berubah bentuk atau rusak selama pengoperasian jangka panjang.

Stabilitas Kimia: Susceptor lapisan TaC berkinerja sangat baik di lingkungan pertumbuhan silikon karbida yang korosif, secara efektif melindungi komponen reaktor dari serangan kimia korosif, sehingga memperpanjang masa pakainya.

Stabilitas Termal: Susceptor lapisan TaC memiliki stabilitas termal yang baik, menjaga morfologi dan kekasaran permukaan untuk memastikan keseragaman bidang suhu dalam reaktor, yang bermanfaat untuk pertumbuhan lapisan epitaksi silikon karbida berkualitas tinggi.

Anti-Kontaminasi: Permukaan berlapis TaC yang halus dan kinerja TPD (Temperature Programmed Desorpsi) yang unggul dapat meminimalkan akumulasi dan adsorpsi partikel dan kotoran di dalam reaktor, mencegah kontaminasi pada lapisan epitaksi.

Singkatnya, susceptor dan cincin berlapis TaC memainkan peran perlindungan penting dalam reaktor pertumbuhan epitaksi silikon karbida LPE, memastikan pengoperasian peralatan yang stabil dalam jangka panjang dan pertumbuhan lapisan epitaksi berkualitas tinggi.

Parameter produk Susceptor Lapisan TaC:

Sifat fisik lapisan TaC
Kepadatan	14,3 (g/cm³)
Emisivitas spesifik	0.3
Koefisien ekspansi termal	6.3 10-6/K
Kekerasan (HK)	2000HK
Perlawanan	1×10-5 Ohm*cm
Stabilitas termal	<2500℃
Perubahan ukuran grafit	-10~-20um
Ketebalan lapisan	Nilai tipikal ≥20um (35um±10um)