VeTek Semiconductor'TaC Coating Planetary Susceptor adalah produk luar biasa untuk peralatan epitaksi Aixtron. Lapisan TaC yang kuat memberikan ketahanan suhu tinggi dan kelembaman bahan kimia yang sangat baik. Kombinasi unik ini memastikan kinerja yang andal dan masa pakai yang lama, bahkan di lingkungan yang menuntut. VeTek berkomitmen untuk menyediakan produk berkualitas tinggi dan menjadi mitra jangka panjang di pasar Tiongkok dengan harga yang kompetitif.
Dalam bidang manufaktur semikonduktor, TaC Coating Planetary Susceptor memainkan peran penting. Ini banyak digunakan dalam pertumbuhan lapisan epitaksi silikon karbida (SiC) pada peralatan seperti sistem Aixtron G5. Selain itu, ketika digunakan sebagai cakram luar dalam pengendapan lapisan tantalum karbida (TaC) untuk epitaksi SiC, Susceptor Planet Lapisan TaC memberikan dukungan dan stabilitas yang penting. Ini memastikan deposisi lapisan tantalum karbida yang seragam, berkontribusi pada pembentukan lapisan epitaksial berkualitas tinggi dengan morfologi permukaan yang sangat baik dan ketebalan film yang diinginkan. Kelambanan kimiawi lapisan TaC mencegah reaksi dan kontaminasi yang tidak diinginkan, menjaga integritas lapisan epitaksi dan memastikan kualitas unggulnya.
Konduktivitas termal lapisan TaC yang luar biasa memungkinkan perpindahan panas yang efisien, mendorong distribusi suhu yang seragam dan meminimalkan tekanan termal selama proses pertumbuhan epitaksi. Hal ini menghasilkan produksi lapisan epitaksi SiC berkualitas tinggi dengan sifat kristalografi yang lebih baik dan konduktivitas listrik yang ditingkatkan.
Dimensi yang tepat dan konstruksi yang kokoh dari TaC Coating Planetary Disk memudahkan integrasi ke dalam sistem yang ada, memastikan kompatibilitas yang mulus dan pengoperasian yang efisien. Kinerjanya yang andal dan lapisan TaC berkualitas tinggi berkontribusi terhadap hasil yang konsisten dan seragam dalam proses epitaksi SiC.
Percayai VeTek Semiconductor dan TaC Coating Planetary Disk kami untuk kinerja dan keandalan luar biasa dalam epitaksi SiC. Rasakan keunggulan solusi inovatif kami, yang menempatkan Anda di garis depan kemajuan teknologi di industri semikonduktor.
Sifat fisik lapisan TaC | |
Kepadatan | 14,3 (g/cm³) |
Emisivitas spesifik | 0.3 |
Koefisien ekspansi termal | 6.3 10-6/K |
Kekerasan (HK) | 2000HK |
Perlawanan | 1×10-5 Ohm*cm |
Stabilitas termal | <2500℃ |
Perubahan ukuran grafit | -10~-20um |
Ketebalan lapisan | Nilai tipikal ≥20um (35um±10um) |