Rumah > Produk > Lapisan Tantalum Karbida > Proses Epitaksi SiC > LPE SiC EPI Setengah Bulan
LPE SiC EPI Setengah Bulan
  • LPE SiC EPI Setengah BulanLPE SiC EPI Setengah Bulan
  • LPE SiC EPI Setengah BulanLPE SiC EPI Setengah Bulan

LPE SiC EPI Setengah Bulan

LPE SiC Epi Halfmoon oleh VeTek Semiconductor, produk revolusioner yang dirancang untuk meningkatkan proses epitaksi SiC reaktor LPE. Solusi mutakhir ini menawarkan beberapa fitur utama yang memastikan kinerja dan efisiensi unggul di seluruh operasi manufaktur Anda. Saya berharap dapat menjalin kerja sama jangka panjang dengan Anda.

mengirimkan permintaan

Deskripsi Produk

Sebagai produsen profesional, VeTek Semiconductor ingin memberi Anda LPE SiC Epi Halfmoon berkualitas tinggi.

LPE SiC Epi Halfmoon oleh VeTek Semiconductor, produk revolusioner yang dirancang untuk meningkatkan proses epitaksi SiC reaktor LPE. Solusi mutakhir ini menawarkan beberapa fitur utama yang memastikan kinerja dan efisiensi unggul di seluruh operasi manufaktur Anda.

LPE SiC Epi Halfmoon menawarkan presisi dan akurasi luar biasa, menjamin pertumbuhan seragam dan lapisan epitaksi berkualitas tinggi. Desainnya yang inovatif dan teknik manufaktur yang canggih memberikan dukungan wafer dan manajemen termal yang optimal, memberikan hasil yang konsisten dan meminimalkan cacat.

Selain itu, LPE SiC Epi Halfmoon dilapisi dengan lapisan tantalum carbide (TaC) premium sehingga meningkatkan kinerja dan daya tahannya. Lapisan TaC ini secara signifikan meningkatkan konduktivitas termal, ketahanan terhadap bahan kimia, dan ketahanan aus, sehingga melindungi produk dan memperpanjang masa pakainya.

Integrasi lapisan TaC di LPE SiC Epi Halfmoon membawa peningkatan signifikan pada alur proses Anda. Hal ini meningkatkan manajemen termal, memastikan pembuangan panas yang efisien dan menjaga suhu pertumbuhan yang stabil. Peningkatan ini mengarah pada peningkatan stabilitas proses, pengurangan tekanan termal, dan peningkatan hasil keseluruhan.

Selain itu, lapisan TaC meminimalkan kontaminasi material, sehingga menghasilkan hasil yang lebih bersih dan lebih banyak lagi

proses epitaksi yang terkendali. Ini bertindak sebagai penghalang terhadap reaksi dan kotoran yang tidak diinginkan, menghasilkan lapisan epitaksi dengan kemurnian lebih tinggi dan meningkatkan kinerja perangkat.

Pilih LPE SiC Epi Halfmoon dari VeTek Semiconductor untuk proses epitaksi yang tak tertandingi. Rasakan manfaat desain canggih, presisi, dan kekuatan transformatif lapisan TaC dalam mengoptimalkan operasi manufaktur Anda. Tingkatkan kinerja Anda dan raih hasil luar biasa dengan solusi industri terkemuka VeTek Semiconductor.


Parameter produk LPE SiC Epi Halfmoon:

Sifat fisik lapisan TaC
Kepadatan 14,3 (g/cm³)
Emisivitas spesifik 0.3
Koefisien ekspansi termal 6.3 10-6/K
Kekerasan (HK) 2000HK
Perlawanan 1×10-5 Ohm*cm
Stabilitas termal <2500℃
Perubahan ukuran grafit -10~-20um
Ketebalan lapisan Nilai tipikal ≥20um (35um±10um)


Toko Produksi Semikonduktor VeTek


Ikhtisar rantai industri epitaksi chip semikonduktor:


Tag Panas: LPE SiC EPI Halfmoon, Cina, Produsen, Pemasok, Pabrik, Disesuaikan, Beli, Canggih, Tahan Lama, Buatan China
Kategori Terkait
mengirimkan permintaan
Jangan ragu untuk memberikan pertanyaan Anda dalam formulir di bawah ini. Kami akan membalas Anda dalam 24 jam.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept