LPE SiC Epi Halfmoon oleh VeTek Semiconductor, produk revolusioner yang dirancang untuk meningkatkan proses epitaksi SiC reaktor LPE. Solusi mutakhir ini menawarkan beberapa fitur utama yang memastikan kinerja dan efisiensi unggul di seluruh operasi manufaktur Anda. Saya berharap dapat menjalin kerja sama jangka panjang dengan Anda.
Sebagai produsen profesional, VeTek Semiconductor ingin memberi Anda LPE SiC Epi Halfmoon berkualitas tinggi.
LPE SiC Epi Halfmoon oleh VeTek Semiconductor, produk revolusioner yang dirancang untuk meningkatkan proses epitaksi SiC reaktor LPE. Solusi mutakhir ini menawarkan beberapa fitur utama yang memastikan kinerja dan efisiensi unggul di seluruh operasi manufaktur Anda.
LPE SiC Epi Halfmoon menawarkan presisi dan akurasi luar biasa, menjamin pertumbuhan seragam dan lapisan epitaksi berkualitas tinggi. Desainnya yang inovatif dan teknik manufaktur yang canggih memberikan dukungan wafer dan manajemen termal yang optimal, memberikan hasil yang konsisten dan meminimalkan cacat.
Selain itu, LPE SiC Epi Halfmoon dilapisi dengan lapisan tantalum carbide (TaC) premium sehingga meningkatkan kinerja dan daya tahannya. Lapisan TaC ini secara signifikan meningkatkan konduktivitas termal, ketahanan terhadap bahan kimia, dan ketahanan aus, sehingga melindungi produk dan memperpanjang masa pakainya.
Integrasi lapisan TaC di LPE SiC Epi Halfmoon membawa peningkatan signifikan pada alur proses Anda. Hal ini meningkatkan manajemen termal, memastikan pembuangan panas yang efisien dan menjaga suhu pertumbuhan yang stabil. Peningkatan ini mengarah pada peningkatan stabilitas proses, pengurangan tekanan termal, dan peningkatan hasil keseluruhan.
Selain itu, lapisan TaC meminimalkan kontaminasi material, sehingga menghasilkan hasil yang lebih bersih dan lebih banyak lagi
proses epitaksi yang terkendali. Ini bertindak sebagai penghalang terhadap reaksi dan kotoran yang tidak diinginkan, menghasilkan lapisan epitaksi dengan kemurnian lebih tinggi dan meningkatkan kinerja perangkat.
Pilih LPE SiC Epi Halfmoon dari VeTek Semiconductor untuk proses epitaksi yang tak tertandingi. Rasakan manfaat desain canggih, presisi, dan kekuatan transformatif lapisan TaC dalam mengoptimalkan operasi manufaktur Anda. Tingkatkan kinerja Anda dan raih hasil luar biasa dengan solusi industri terkemuka VeTek Semiconductor.
Sifat fisik lapisan TaC | |
Kepadatan | 14,3 (g/cm³) |
Emisivitas spesifik | 0.3 |
Koefisien ekspansi termal | 6.3 10-6/K |
Kekerasan (HK) | 2000HK |
Perlawanan | 1×10-5 Ohm*cm |
Stabilitas termal | <2500℃ |
Perubahan ukuran grafit | -10~-20um |
Ketebalan lapisan | Nilai tipikal ≥20um (35um±10um) |