Cincin pemandu tiga kelopak berlapis CVD TaC

VeTek Semiconductor telah mengalami perkembangan teknologi selama bertahun-tahun dan telah menguasai teknologi proses pelapisan CVD TaC yang terdepan. Cincin pemandu tiga kelopak berlapis CVD TaC adalah salah satu produk pelapis CVD TaC VeTek Semiconductor yang paling matang dan merupakan komponen penting untuk menyiapkan kristal SiC dengan metode PVT. Dengan bantuan VeTek Semiconductor, saya yakin produksi kristal SiC Anda akan lebih lancar dan efisien.

mengirimkan permintaan

Deskripsi Produk

Bahan substrat kristal tunggal silikon karbida adalah sejenis bahan kristal yang termasuk dalam bahan semikonduktor celah pita lebar. Ini memiliki keunggulan ketahanan tegangan tinggi, ketahanan suhu tinggi, frekuensi tinggi, kehilangan rendah, dll. Ini adalah bahan dasar untuk persiapan perangkat elektronik daya berdaya tinggi dan perangkat frekuensi radio gelombang mikro. Saat ini, metode utama untuk menumbuhkan kristal SiC adalah transportasi uap fisik (metode PVT), deposisi uap kimia suhu tinggi (metode HTCVD), metode fase cair, dll.

Working diagram of CVD TaC coated three-petal guide ring

Metode PVT merupakan metode yang relatif matang dan lebih cocok untuk produksi massal industri. Dengan menempatkan kristal benih SiC di atas wadah dan menempatkan bubuk SiC sebagai bahan baku di bagian bawah wadah, dalam lingkungan tertutup bersuhu tinggi dan bertekanan rendah, bubuk SiC menyublim dan dipindahkan ke atas ke sekitarnya. kristal benih di bawah pengaruh gradien suhu dan perbedaan konsentrasi, dan mengkristal kembali setelah mencapai keadaan lewat jenuh, pertumbuhan ukuran kristal SiC dan jenis kristal spesifik yang terkendali dapat dicapai.

Fungsi utama cincin pemandu tiga kelopak berlapis CVD TaC adalah untuk meningkatkan mekanika fluida, memandu aliran gas, dan membantu area pertumbuhan kristal untuk mendapatkan atmosfer yang seragam. Ini juga secara efektif menghilangkan panas dan mempertahankan gradien suhu selama pertumbuhan kristal SiC, sehingga mengoptimalkan kondisi pertumbuhan kristal SiC dan menghindari cacat kristal yang disebabkan oleh distribusi suhu yang tidak merata.

Performa luar biasa dari lapisan CVD TaC

● Kemurnian sangat tinggi: Menghindari timbulnya kotoran dan kontaminasi.

● Stabilitas suhu tinggi: Stabilitas suhu tinggi di atas 2500°C memungkinkan pengoperasian pada suhu sangat tinggi.

● Toleransi lingkungan kimia: Toleransi terhadap H(2), NH(3), SiH(4) dan Si, memberikan perlindungan di lingkungan kimia yang keras.

● Umur panjang tanpa rontok: Ikatan yang kuat dengan bodi grafit dapat memastikan siklus hidup yang panjang tanpa menghilangkan lapisan dalam.

● Ketahanan terhadap guncangan termal: Ketahanan terhadap guncangan termal mempercepat siklus operasi.

●Toleransi dimensi yang ketat: Memastikan cakupan lapisan memenuhi toleransi dimensi yang ketat.

VeTek Semiconductor memiliki tim dukungan teknis dan tim penjualan yang profesional dan matang yang dapat menyesuaikan produk dan solusi yang paling sesuai untuk Anda. Dari pra-penjualan hingga purna jual, VeTek Semiconductor selalu berkomitmen memberikan Anda layanan terlengkap dan terlengkap.

Sifat fisik lapisan TaC

Sifat fisik lapisan TaC
Kepadatan lapisan TaC	14,3 (g/cm³)
Emisivitas spesifik	0.3
Koefisien ekspansi termal	6.3 10^-6/K
Kekerasan lapisan TaC (HK)	2000HK
Perlawanan	1×10^-5Ohm*cm
Stabilitas termal	<2500℃
Perubahan ukuran grafit	-10~-20um
Ketebalan lapisan	Nilai tipikal ≥20um (35um±10um)
Konduktivitas termal	9-22(W/m·K)