Bagian Halfmoon 8 Inci untuk Reaktor LPE

VeTek Semiconductor adalah Suku Cadang Halfmoon 8 Inci untuk Reaktor LPE produsen dan inovator di China. Kami telah mengkhususkan diri dalam bahan pelapis SiC selama bertahun-tahun. Kami menawarkan Suku Cadang Halfmoon 8 Inci untuk Reaktor LPE yang dirancang khusus untuk reaktor epitaksi LPE SiC. Halfmoon ini merupakan solusi serbaguna dan efisien untuk manufaktur semikonduktor dengan ukuran optimal, kompatibilitas, dan produktivitas tinggi. Kami menyambut Anda untuk mengunjungi pabrik kami di China.

mengirimkan permintaan

Deskripsi Produk

Sebagai produsen profesional, VeTek Semiconductor ingin memberi Anda Bagian Halfmoon 8 Inci berkualitas tinggi untuk Reaktor LPE.

Bagian setengah bulan VeTek Semikonduktor 8 inci untuk reaktor LPE merupakan komponen penting yang digunakan dalam proses pembuatan semikonduktor, khususnya pada peralatan epitaksi SiC. VeTek Semiconductor menggunakan teknologi yang dipatenkan untuk memproduksi bagian halfmoon 8 inci untuk reaktor LPE, memastikan komponen tersebut memiliki kemurnian luar biasa, lapisan seragam, dan umur panjang yang luar biasa. Selain itu, bagian-bagian ini menunjukkan sifat ketahanan kimia dan stabilitas termal yang luar biasa.

Bagian utama bagian setengah bulan 8 inci untuk reaktor LPE terbuat dari grafit dengan kemurnian tinggi, yang memberikan konduktivitas termal dan stabilitas mekanis yang sangat baik. Grafit dengan kemurnian tinggi dipilih karena kandungan pengotornya yang rendah, memastikan kontaminasi minimal selama proses pertumbuhan epitaksi. Kekokohannya memungkinkannya menahan kondisi yang sulit di dalam reaktor LPE.

Bagian Halfmoon Grafit Dilapisi SiC Semikonduktor VeTek diproduksi dengan presisi tertinggi dan perhatian terhadap detail. Kemurnian tinggi dari bahan yang digunakan menjamin kinerja dan keandalan yang unggul dalam pembuatan semikonduktor. Lapisan seragam pada bagian-bagian ini memastikan pengoperasian yang konsisten dan efisien sepanjang masa pakainya.

Salah satu keunggulan utama Bagian Halfmoon Grafit Dilapisi SiC kami adalah ketahanannya yang sangat baik terhadap bahan kimia. Mereka dapat menahan sifat korosif dari lingkungan manufaktur semikonduktor, memastikan daya tahan yang tahan lama dan meminimalkan kebutuhan akan penggantian yang sering. Selain itu, stabilitas termalnya yang luar biasa memungkinkannya mempertahankan integritas struktural dan fungsionalitasnya dalam kondisi suhu tinggi.

Bagian Halfmoon Grafit Dilapisi SiC kami telah dirancang dengan cermat untuk memenuhi persyaratan ketat peralatan epitaksi SiC. Dengan kinerjanya yang andal, komponen-komponen ini berkontribusi terhadap keberhasilan proses pertumbuhan epitaksi, memungkinkan pengendapan film SiC berkualitas tinggi.

Sifat fisik dasar lapisan CVD SiC:

Sifat fisik dasar lapisan CVD SiC
Properti	Nilai khas
Struktur kristal	Polikristalin fase β FCC, terutama berorientasi (111).
Kepadatan	3,21 gram/cm³
Kekerasan	Kekerasan Vickers 2500（beban 500g）
Ukuran butir	2~10μm
Kemurnian Kimia	99,99995%
Kapasitas Panas	640 J·kg-1·K-1
Suhu Sublimasi	2700℃
Kekuatan Lentur	415 MPa RT 4 titik
Modulus Muda	tikungan 430 Gpa 4pt, 1300℃
Konduktivitas termal	300W·m-1·K-1
Ekspansi Termal (CTE)	4,5×10-6K-1