Susceptor Grafit Epitaksi GaN untuk G5

VeTek Semiconductor adalah produsen dan pemasok profesional, yang berdedikasi untuk menyediakan susceptor Grafit Epitaksial GaN Untuk G5 berkualitas tinggi. kami telah menjalin kemitraan jangka panjang dan stabil dengan banyak perusahaan terkenal di dalam dan luar negeri, mendapatkan kepercayaan dan rasa hormat dari pelanggan kami.

mengirimkan permintaan

Deskripsi Produk

VeTek Semiconductor adalah susceptor Grafit Epitaxial GaN China profesional untuk produsen dan pemasok G5. Susceptor Grafit Epitaxial GaN Untuk G5 adalah komponen penting yang digunakan dalam sistem pengendapan uap kimia logam-organik (MOCVD) Aixtron G5 untuk pertumbuhan film tipis galium nitrida (GaN) berkualitas tinggi, ini memainkan peran penting dalam memastikan suhu seragam distribusi, perpindahan panas yang efisien, dan kontaminasi minimal selama proses pertumbuhan.

Fitur Utama dari susceptor Grafit Epitaxial GaN Semikonduktor VeTek Untuk G5:

-Kemurnian tinggi: Susceptor terbuat dari grafit yang sangat murni dengan lapisan CVD, meminimalkan kontaminasi pada film GaN yang sedang tumbuh.

-Konduktivitas termal yang sangat baik: Konduktivitas termal grafit yang tinggi (150-300 W/(m·K)) memastikan distribusi suhu yang seragam di seluruh susceptor, sehingga menghasilkan pertumbuhan film GaN yang konsisten.

-Ekspansi termal rendah: Koefisien ekspansi termal susceptor yang rendah meminimalkan tekanan termal dan keretakan selama proses pertumbuhan suhu tinggi.

-Kelembaman kimia: Grafit bersifat inert secara kimia dan tidak bereaksi dengan prekursor GaN, mencegah pengotor yang tidak diinginkan pada film yang ditumbuhkan.

-Kompatibilitas dengan Aixtron G5: Susceptor dirancang khusus untuk digunakan dalam sistem MOCVD Aixtron G5, memastikan kesesuaian dan fungsionalitas yang tepat.

Aplikasi:

LED dengan kecerahan tinggi: LED berbasis GaN menawarkan efisiensi tinggi dan masa pakai yang lama, menjadikannya ideal untuk penerangan umum, penerangan otomotif, dan aplikasi tampilan.

Transistor berdaya tinggi: Transistor GaN menawarkan kinerja unggul dalam hal kepadatan daya, efisiensi, dan kecepatan peralihan, sehingga cocok untuk aplikasi elektronika daya.

Dioda laser: Dioda laser berbasis GaN menawarkan efisiensi tinggi dan panjang gelombang pendek, menjadikannya ideal untuk penyimpanan optik dan aplikasi komunikasi.

Parameter produk Susceptor Grafit Epitaxial GaN untuk G5

Sifat fisik grafit isostatik
Properti	Satuan	Nilai khas
Kepadatan Massal	gram/cm³	1.83
Kekerasan	HSD	58
Resistivitas Listrik	ibu.m	10
Kekuatan Lentur	MPa	47
Kekuatan Tekan	MPa	103
Daya tarik	MPa	31
Modulus Muda	IPK	11.8
Ekspansi Termal (CTE)	10-6K-1	4.6
Konduktivitas termal	W·m-1·K-1	130
Ukuran Butir Rata-rata	m	8-10
Porositas	%	10
Kandungan Abu	ppm	≤10 (setelah dimurnikan)

Catatan: Sebelum pelapisan akan dilakukan pemurnian terlebih dahulu, setelah pelapisan akan dilakukan pemurnian kedua.

Sifat fisik dasar lapisan CVD SiC
Properti	Nilai khas
Struktur kristal	Polikristalin fase β FCC, terutama berorientasi (111).
Kepadatan	3,21 gram/cm³
Kekerasan	Kekerasan Vickers 2500（beban 500g）
Ukuran butir	2~10μm
Kemurnian Kimia	99,99995%
Kapasitas Panas	640 J·kg-1·K-1
Suhu Sublimasi	2700℃
Kekuatan Lentur	415 MPa RT 4 titik
Modulus Muda	tikungan 430 Gpa 4pt, 1300℃
Konduktivitas termal	300W·m-1·K-1
Ekspansi Termal (CTE)	4,5×10-6K-1