Pembawa wafer SiC padat

Pembawa wafer SiC padat VeTek Semiconductor dirancang untuk lingkungan bersuhu tinggi dan tahan korosi dalam proses epitaksi semikonduktor dan cocok untuk semua jenis proses pembuatan wafer dengan persyaratan kemurnian tinggi. VeTek Semiconductor adalah pemasok pembawa wafer terkemuka di Tiongkok dan berharap dapat menjadi mitra jangka panjang Anda di industri semikonduktor.

mengirimkan permintaan

Deskripsi Produk

Pembawa wafer SiC padat adalah komponen yang diproduksi untuk suhu tinggi, tekanan tinggi, dan lingkungan korosif dari proses epitaksi semikonduktor, dan cocok untuk berbagai proses pembuatan wafer dengan persyaratan kemurnian tinggi.

Pembawa wafer SiC padat menutupi tepi wafer, melindungi wafer dan memposisikannya secara akurat, memastikan pertumbuhan lapisan epitaksi berkualitas tinggi. Bahan SiC banyak digunakan dalam proses seperti epitaksi fase cair (LPE), deposisi uap kimia (CVD), dan deposisi uap organik logam (MOCVD) karena stabilitas termal yang sangat baik, ketahanan terhadap korosi, dan konduktivitas termal yang luar biasa. Pembawa wafer SiC padat VeTek Semiconductor telah diverifikasi di berbagai lingkungan yang keras dan secara efektif dapat memastikan stabilitas dan efisiensi proses pertumbuhan epitaksi wafer.

Vapor-phase epitaxial growth method

Pembawa wafer SiC padatFitur Produk

● Stabilitas suhu sangat tinggi: Pembawa wafer SiC padat dapat tetap stabil pada suhu hingga 1500°C dan tidak rentan terhadap deformasi atau retak.

● Ketahanan terhadap korosi kimia yang sangat baik: Menggunakan bahan silikon karbida dengan kemurnian tinggi, ia dapat menahan korosi dari berbagai bahan kimia termasuk asam kuat, alkali kuat, dan gas korosif, sehingga memperpanjang masa pakai pembawa wafer.

● Konduktivitas termal yang tinggi: Pembawa wafer SiC padat memiliki konduktivitas termal yang sangat baik dan dapat menyebarkan panas dengan cepat dan merata selama proses, membantu menjaga stabilitas suhu wafer dan meningkatkan keseragaman dan kualitas lapisan epitaksi.

● Pembentukan partikel rendah: Bahan SiC memiliki karakteristik pembentukan partikel rendah alami, yang mengurangi risiko kontaminasi dan dapat memenuhi persyaratan ketat industri semikonduktor untuk kemurnian tinggi.

Spesifikasi teknis:

Parameter	Keterangan
Bahan	Silikon karbida padat dengan kemurnian tinggi
Ukuran wafer yang berlaku	4 inci, 6 inci, 8 inci, 12 inci (dapat disesuaikan)
Toleransi suhu maksimum	Hingga 1500°C
Ketahanan terhadap bahan kimia	Ketahanan asam dan alkali, ketahanan korosi fluorida
Konduktivitas termal	250 W/(m·K)
Tingkat pembentukan partikel	Pembuatan partikel ultra-rendah, cocok untuk kebutuhan kemurnian tinggi
Opsi penyesuaian	Ukuran, bentuk, dan parameter teknis lainnya dapat disesuaikan sesuai kebutuhan

Mengapa memilihSemikonduktor VeTekcincin pembawa substrat wafer SiC padat?

● Keandalan: Setelah pengujian ketat dan verifikasi aktual oleh pelanggan akhir, ini dapat memberikan dukungan jangka panjang dan stabil dalam kondisi ekstrem dan mengurangi risiko gangguan proses.

● Bahan berkualitas tinggi: Terbuat dari bahan SiC kualitas tertinggi, memastikan bahwa setiap pembawa wafer SiC padat memenuhi standar tinggi industri.

● Layanan penyesuaian: Mendukung penyesuaian berbagai spesifikasi dan persyaratan teknis untuk memenuhi kebutuhan proses tertentu.

Jika Anda memerlukan informasi produk lebih lanjut atau untuk melakukan pemesanan, silakan hubungi kami. Kami akan memberikan konsultasi dan solusi profesional berdasarkan kebutuhan spesifik Anda untuk membantu Anda meningkatkan efisiensi produksi dan mengurangi biaya pemeliharaan.