VeTek Semiconductor adalah produsen dan inovator Kepala Pancuran CVD SiC terkemuka di Tiongkok. Kami telah mengkhususkan diri dalam bahan SiC selama bertahun-tahun. Kepala Pancuran SiC CVD dipilih sebagai bahan cincin fokus karena stabilitas termokimia yang sangat baik, kekuatan mekanik yang tinggi, dan ketahanan terhadap erosi plasma. Kami berharap dapat menjadi mitra jangka panjang Anda di Tiongkok.
Anda dapat yakin untuk membeli Kepala Pancuran CVD SiC dari pabrik kami. Kepala Pancuran SiC CVD Semikonduktor VeTek terbuat dari silikon karbida padat (SiC) menggunakan teknik deposisi uap kimia (CVD) tingkat lanjut. SiC dipilih karena konduktivitas termalnya yang luar biasa, ketahanan kimia, dan kekuatan mekaniknya, ideal untuk komponen SiC bervolume besar seperti Kepala Pancuran SiC CVD.
Dirancang untuk manufaktur semikonduktor, Kepala Pancuran CVD SiC tahan terhadap suhu tinggi dan pemrosesan plasma. Kontrol aliran gas yang presisi dan sifat material yang unggul memastikan proses yang stabil dan keandalan jangka panjang. Penggunaan CVD SiC meningkatkan manajemen termal dan stabilitas kimia, meningkatkan kualitas dan kinerja produk semikonduktor.
Kepala Pancuran SiC CVD meningkatkan efisiensi pertumbuhan epitaksi dengan mendistribusikan gas proses secara merata dan menjaga ruangan dari kontaminasi. Ini secara efektif menyelesaikan tantangan manufaktur semikonduktor seperti kontrol suhu, stabilitas kimia, dan konsistensi proses, sehingga memberikan solusi yang andal kepada pelanggan.
Digunakan dalam sistem MOCVD, epitaksi Si, dan epitaksi SiC, Kepala Pancuran SiC CVD mendukung produksi perangkat semikonduktor berkualitas tinggi. Peran pentingnya memastikan kontrol dan stabilitas proses yang tepat, memenuhi beragam kebutuhan pelanggan akan produk berkinerja tinggi dan dapat diandalkan.
Sifat fisik SiC Padat | |||
Kepadatan | 3.21 | gram/cm3 | |
Resistivitas Listrik | 102 | ohm/cm | |
Kekuatan Lentur | 590 | MPa | (6000kgf/cm2) |
Modulus Young | 450 | IPK | (6000kgf/mm2) |
Kekerasan Vickers | 26 | IPK | (2650kgf/mm2) |
CTE(RT-1000℃) | 4.0 | x10-6/K | |
Konduktivitas Termal (RT) | 250 | W/mK |