VeTek Semiconductor, produsen pelapis CVD SiC terkemuka, menawarkan Cakram Set Pelapis SiC di Reaktor Aixtron MOCVD. Cakram Set Pelapis SiC ini dibuat menggunakan grafit dengan kemurnian tinggi dan dilengkapi lapisan SiC CVD dengan pengotor di bawah 5ppm. Kami menyambut pertanyaan tentang produk ini.
VeTek Semiconductor adalah produsen & pemasok pelapis SiC China yang terutama memproduksi Cakram Set Pelapis SiC, kolektor, susceptor dengan pengalaman bertahun-tahun. Berharap untuk membangun hubungan bisnis dengan Anda.
Cakram Set Pelapis SiC Aixtron adalah produk berkinerja tinggi yang dirancang untuk berbagai aplikasi. Kit ini terbuat dari bahan grafit berkualitas tinggi dengan lapisan pelindung silikon karbida (SiC).
Lapisan silikon karbida (SiC) pada permukaan cakram memiliki beberapa keunggulan penting. Pertama-tama, ini sangat meningkatkan konduktivitas termal bahan grafit, mencapai konduksi panas yang efisien dan kontrol suhu yang tepat. Hal ini memastikan pemanasan atau pendinginan yang seragam pada seluruh set disk selama penggunaan, sehingga menghasilkan kinerja yang konsisten.
Kedua, lapisan silikon karbida (SiC) memiliki kelembaman kimia yang sangat baik, membuat set cakram sangat tahan terhadap korosi. Ketahanan terhadap korosi ini memastikan umur panjang dan keandalan cakram, bahkan di lingkungan yang keras dan korosif, sehingga cocok untuk berbagai skenario aplikasi.
Selain itu, lapisan silikon karbida (SiC) meningkatkan daya tahan dan ketahanan aus set cakram secara keseluruhan. Lapisan pelindung ini membantu disk tahan terhadap penggunaan berulang, sehingga mengurangi risiko kerusakan atau penurunan kualitas yang mungkin terjadi seiring berjalannya waktu. Peningkatan daya tahan memastikan kinerja jangka panjang dan keandalan set disk.
Cakram Set Pelapis Aixtron SiC banyak digunakan dalam manufaktur semikonduktor, pemrosesan kimia, dan laboratorium penelitian. Konduktivitas termal yang sangat baik, ketahanan terhadap bahan kimia, dan daya tahan menjadikannya ideal untuk aplikasi kritis yang memerlukan kontrol suhu yang tepat dan lingkungan yang tahan korosi.
Sifat fisik dasar lapisan CVD SiC | |
Properti | Nilai khas |
Struktur kristal | Polikristalin fase β FCC, terutama berorientasi (111). |
Kepadatan | 3,21 gram/cm³ |
Kekerasan | Kekerasan Vickers 2500(beban 500g) |
Ukuran butir | 2~10μm |
Kemurnian Kimia | 99,99995% |
Kapasitas Panas | 640 J·kg-1·K-1 |
Suhu Sublimasi | 2700℃ |
Kekuatan Lentur | 415 MPa RT 4 titik |
Modulus Muda | tikungan 430 Gpa 4pt, 1300℃ |
Konduktivitas termal | 300W·m-1·K-1 |
Ekspansi Termal (CTE) | 4,5×10-6K-1 |