Susceptor Epitaksi MOCVD untuk Wafer 4".

VeTek Semiconductor adalah produsen dan pemasok profesional, yang berdedikasi untuk menyediakan MOCVD Epitaxial Susceptor berkualitas tinggi untuk Wafer 4". dengan pengalaman industri yang kaya dan tim profesional, kami dapat memberikan solusi ahli dan efisien kepada klien kami.

mengirimkan permintaan

Deskripsi Produk

VeTek Semiconductor adalah pemimpin profesional China MOCVD Epitaxial Susceptor untuk produsen wafer 4" dengan kualitas tinggi dan harga terjangkau. Selamat datang untuk menghubungi kami. MOCVD Epitaxial Susceptor untuk wafer 4" adalah komponen penting dalam pengendapan uap kimia logam-organik (MOCVD) proses, yang banyak digunakan untuk pertumbuhan film tipis epitaksi berkualitas tinggi, termasuk galium nitrida (GaN), aluminium nitrida (AlN), dan silikon karbida (SiC). Susceptor berfungsi sebagai platform untuk menahan substrat selama proses pertumbuhan epitaksial dan memainkan peran penting dalam memastikan distribusi suhu yang seragam, perpindahan panas yang efisien, dan kondisi pertumbuhan yang optimal.

MOCVD Epitaxial Susceptor untuk wafer 4" biasanya terbuat dari grafit dengan kemurnian tinggi, silikon karbida, atau bahan lain dengan konduktivitas termal yang sangat baik, kelembaman kimia, dan ketahanan terhadap guncangan termal.

Aplikasi:

Suseptor epitaksi MOCVD menemukan aplikasi di berbagai industri, termasuk:

Elektronika daya: pertumbuhan transistor mobilitas elektron tinggi (HEMT) berbasis GaN untuk aplikasi daya tinggi dan frekuensi tinggi.

Optoelektronik: pertumbuhan dioda pemancar cahaya (LED) dan dioda laser berbasis GaN untuk teknologi pencahayaan dan tampilan yang efisien.

Sensor: pertumbuhan sensor piezoelektrik berbasis AlN untuk deteksi tekanan, suhu, dan gelombang akustik.

Elektronik suhu tinggi: pertumbuhan perangkat daya berbasis SiC untuk aplikasi suhu tinggi dan daya tinggi.

Parameter produk Epitaxial Susceptor MOCVD untuk Wafer 4".

Sifat fisik grafit isostatik
Properti	Satuan	Nilai khas
Kepadatan Massal	gram/cm³	1.83
Kekerasan	HSD	58
Resistivitas Listrik	ibu.m	10
Kekuatan Lentur	MPa	47
Kekuatan Tekan	MPa	103
Daya tarik	MPa	31
Modulus Muda	IPK	11.8
Ekspansi Termal (CTE)	10-6K-1	4.6
Konduktivitas termal	W·m-1·K-1	130
Ukuran Butir Rata-rata	m	8-10
Porositas	%	10
Kandungan Abu	ppm	≤10 (setelah dimurnikan)

Catatan: Sebelum pelapisan akan dilakukan pemurnian terlebih dahulu, setelah pelapisan akan dilakukan pemurnian kedua.

Sifat fisik dasar lapisan CVD SiC
Properti	Nilai khas
Struktur kristal	Polikristalin fase β FCC, terutama berorientasi (111).
Kepadatan	3,21 gram/cm³
Kekerasan	Kekerasan Vickers 2500（beban 500g）
Ukuran butir	2~10μm
Kemurnian Kimia	99,99995%
Kapasitas Panas	640 J·kg-1·K-1
Suhu Sublimasi	2700℃
Kekuatan Lentur	415 MPa RT 4 titik
Modulus Muda	tikungan 430 Gpa 4pt, 1300℃
Konduktivitas termal	300W·m-1·K-1
Ekspansi Termal (CTE)	4,5×10-6K-1