Perahu Wafer Silikon Karbida Berlapis SiC

VeTek Semiconductor adalah produsen dan pemasok profesional di China untuk perahu wafer silikon karbida berlapis SiC, dengan pengalaman bertahun-tahun dalam R&D dan produksi, dapat mengontrol kualitas dengan baik dan menawarkan harga yang kompetitif. Selamat datang untuk mengunjungi pabrik kami dan berdiskusi lebih lanjut tentang kerja sama.

mengirimkan permintaan

Deskripsi Produk

VeTek Semiconductor adalah produsen & pemasok China yang terutama memproduksi Perahu Wafer Silikon Karbida Dilapisi SiC dengan pengalaman bertahun-tahun. Berharap dapat membangun hubungan bisnis dengan Anda. Perahu wafer silikon karbida berlapis SiC digunakan dalam tungku difusi semikonduktor untuk membawa wafer untuk berbagai proses suhu tinggi seperti implantasi ion, difusi, dan anil. Ini dapat menyediakan lingkungan yang stabil untuk wafer, memastikan keseragaman dan konsistensi suhu selama pemrosesan.

Perahu wafer silikon karbida berlapis SiC memiliki ketahanan panas dan stabilitas kimia yang lebih tinggi, memungkinkannya beroperasi pada suhu yang lebih tinggi dan memberikan masa pakai yang lebih lama. Selain itu, bahan ini memiliki tingkat penguapan bahan dan tingkat adsorpsi gas yang lebih rendah, sehingga membantu mengurangi dampak pengotor pada pemrosesan wafer.

Kami dapat memproduksi berbagai jenis perahu wafer silikon karbida seperti perahu wafer horizontal, perahu wafer vertikal, dan perahu khusus lainnya.

Keuntungan dari silikon karbida kemurnian tinggi kami:

1. Stabilitas Suhu Tinggi

2. Kelambanan Kimia

3. Konten Pengotor Rendah

4. Konduktivitas Termal

Sifat fisik Silikon Karbida Rekristalisasi

Sifat fisik Silikon Karbida Rekristalisasi
Properti	Nilai khas
Suhu kerja (°C)	1600°C (dengan oksigen), 1700°C (mengurangi lingkungan)
konten SiC	> 99,96%
Konten Si gratis	< 0,1%
Kepadatan massal	2,60-2,70 gram/cm3
Porositas yang tampak	< 16%
Kekuatan kompresi	> 600 MPa
Kekuatan lentur dingin	80-90 MPa (20°C)
Kekuatan lentur panas	90-100 MPa (1400°C)
Ekspansi termal @1500°C	4,70 10-6/°C
Konduktivitas termal @1200°C	23 W/m·K
Modulus elastis	240 IPK
Ketahanan terhadap guncangan termal	Sangat bagus