Susceptor Barel Grafit Dilapisi SiC untuk EPI

VeTek Semiconductor adalah produsen, pemasok dan eksportir profesional untuk susceptor barel grafit berlapis SiC untuk EPI. Didukung oleh tim profesional dan teknologi terdepan, VeTek Semiconductor dapat memberikan Anda kualitas tinggi dengan harga pantas. kami menyambut Anda untuk mengunjungi pabrik kami untuk diskusi lebih lanjut.

mengirimkan permintaan

Deskripsi Produk

VeTek Semiconductor adalah produsen & pemasok China yang terutama memproduksi susceptor barel grafit berlapis SiC untuk EPI dengan pengalaman bertahun-tahun. Berharap untuk membangun hubungan bisnis dengan Anda. EPI (Epitaxy) adalah proses penting dalam pembuatan semikonduktor tingkat lanjut. Ini melibatkan pengendapan lapisan tipis material pada substrat untuk membuat struktur perangkat yang kompleks. Susceptor barel grafit berlapis SiC untuk EPI umumnya digunakan sebagai susceptor dalam reaktor EPI karena konduktivitas termalnya yang sangat baik dan ketahanan terhadap suhu tinggi. Dengan lapisan CVD-SiC, menjadi lebih tahan terhadap kontaminasi, erosi, dan guncangan termal. Hal ini menghasilkan masa pakai susceptor yang lebih lama dan kualitas film yang lebih baik.

Keuntungan dari Susceptor Barel Grafit Dilapisi SiC kami:

Mengurangi Kontaminasi: Sifat inert SiC mencegah kotoran menempel pada permukaan suseptor, sehingga mengurangi risiko kontaminasi pada lapisan film yang diendapkan.

Peningkatan Ketahanan Terhadap Erosi: SiC secara signifikan lebih tahan terhadap erosi dibandingkan grafit konvensional, sehingga umur suseptornya lebih lama.

Peningkatan Stabilitas Termal: SiC memiliki konduktivitas termal yang sangat baik dan dapat menahan suhu tinggi tanpa distorsi yang signifikan.

Kualitas Film yang Ditingkatkan: Peningkatan stabilitas termal dan pengurangan kontaminasi menghasilkan film yang diendapkan dengan kualitas lebih tinggi dengan keseragaman dan kontrol ketebalan yang lebih baik.

Aplikasi:

Susceptor barel grafit berlapis SiC banyak digunakan dalam berbagai aplikasi EPI, termasuk:

LED berbasis GaN

Elektronika daya

Perangkat optoelektronik

Transistor frekuensi tinggi

Sensor

Parameter produk Susceptor Barel Grafit Dilapisi SiC

Sifat fisik grafit isostatik
Properti	Satuan	Nilai khas
Kepadatan Massal	gram/cm³	1.83
Kekerasan	HSD	58
Resistivitas Listrik	ibu.m	10
Kekuatan Lentur	MPa	47
Kekuatan Tekan	MPa	103
Daya tarik	MPa	31
Modulus Muda	IPK	11.8
Ekspansi Termal (CTE)	10-6K-1	4.6
Konduktivitas termal	W·m-1·K-1	130
Ukuran Butir Rata-rata	m	8-10
Porositas	%	10
Kandungan Abu	ppm	≤10 (setelah dimurnikan)

Catatan: Sebelum pelapisan akan dilakukan pemurnian terlebih dahulu, setelah pelapisan akan dilakukan pemurnian kedua.

Sifat fisik dasar lapisan CVD SiC
Properti	Nilai khas
Struktur kristal	Polikristalin fase β FCC, terutama berorientasi (111).
Kepadatan	3,21 gram/cm³
Kekerasan	Kekerasan Vickers 2500（beban 500g）
Ukuran butir	2~10μm
Kemurnian Kimia	99,99995%
Kapasitas Panas	640 J·kg-1·K-1
Suhu Sublimasi	2700℃
Kekuatan Lentur	415 MPa RT 4 titik
Modulus Muda	tikungan 430 Gpa 4pt, 1300℃
Konduktivitas termal	300W·m-1·K-1
Ekspansi Termal (CTE)	4,5×10-6K-1