Set Reseptor LPE SI EPI

VeTek Semiconductor adalah produsen dan inovator Set LPE Si Epi Susceptor terkemuka di China. Kami telah mengkhususkan diri dalam pelapisan SiC dan pelapisan TaC selama bertahun-tahun. Kami menawarkan Set Susceptor LPE Si Epi yang dirancang khusus untuk wafer LPE PE2061S 4''. Tingkat kecocokan bahan grafit dan lapisan SiC baik, keseragaman sangat baik, dan umur panjang, yang dapat meningkatkan hasil pertumbuhan lapisan epitaksi selama proses LPE (Liquid Phase Epitaxy). Kami menyambut Anda untuk mengunjungi pabrik kami di Cina.

mengirimkan permintaan

Deskripsi Produk

VeTek Semiconductor adalah produsen dan pemasok Set Susceptor LPE Si EPI China profesional.

Dengan kualitas bagus dan harga bersaing, selamat datang untuk mengunjungi pabrik kami dan menjalin kerjasama jangka panjang dengan kami.

Set Susceptor Semikonduktor LPE Si Epi VeTeK adalah produk berkinerja tinggi yang dibuat dengan menerapkan lapisan halus silikon karbida ke permukaan grafit isotropik yang sangat murni. Hal ini dicapai melalui proses Deposisi Uap Kimia (CVD) milik VeTeK Semiconductor.

LPE Si Epi Susceptor Set dari VeTek Semiconductor adalah reaktor barel deposisi epitaksi CVD yang dirancang untuk bekerja dengan andal bahkan dalam kondisi yang menantang. Daya rekat lapisannya yang luar biasa, ketahanan terhadap oksidasi suhu tinggi, dan korosi menjadikannya pilihan ideal untuk lingkungan yang keras. Selain itu, profil termal yang seragam dan pola aliran gas laminar mencegah kontaminasi, memastikan pertumbuhan lapisan epitaksi berkualitas tinggi.

Desain reaktor epitaksi semikonduktor kami yang berbentuk barel mengoptimalkan aliran gas, memastikan panas didistribusikan secara merata. Fitur ini secara efektif mencegah kontaminasi dan penyebaran kotoran, menjamin produksi lapisan epitaksi berkualitas tinggi pada substrat wafer.

Di VeTek Semiconductor, kami berkomitmen untuk menyediakan produk berkualitas tinggi dan hemat biaya kepada pelanggan. Set Susceptor LPE Si Epi kami menawarkan harga yang kompetitif dengan tetap menjaga kepadatan yang sangat baik untuk substrat grafit dan lapisan silikon karbida. Kombinasi ini memastikan perlindungan yang andal di lingkungan kerja bersuhu tinggi dan korosif.

Sifat fisik dasar lapisan CVD SiC:

Sifat fisik dasar lapisan CVD SiC
Properti	Nilai khas
Struktur kristal	Polikristalin fase β FCC, terutama berorientasi (111).
Kepadatan	3,21 gram/cm³
Kekerasan	Kekerasan Vickers 2500（beban 500g）
Ukuran butir	2~10μm
Kemurnian Kimia	99,99995%
Kapasitas Panas	640 J·kg-1·K-1
Suhu Sublimasi	2700℃
Kekuatan Lentur	415 MPa RT 4 titik
Modulus Muda	tikungan 430 Gpa 4pt, 1300℃
Konduktivitas termal	300W·m-1·K-1
Ekspansi Termal (CTE)	4,5×10-6K-1