Bahan baku CVD SiC dengan kemurnian tinggi

Bahan baku CVD SiC dengan kemurnian tinggi yang disiapkan oleh CVD adalah bahan sumber terbaik untuk pertumbuhan kristal silikon karbida melalui transportasi uap fisik. Kepadatan bahan baku CVD SiC dengan kemurnian tinggi yang dipasok oleh VeTek Semiconductor lebih tinggi dibandingkan partikel kecil yang dibentuk oleh pembakaran spontan gas yang mengandung Si dan C, dan tidak memerlukan tungku sintering khusus dan memiliki laju penguapan yang hampir konstan. Ini dapat menumbuhkan kristal tunggal SiC berkualitas sangat tinggi. Menantikan pertanyaan Anda.

mengirimkan permintaan

Deskripsi Produk

Semikonduktor VeTek telah mengembangkan yang baruBahan baku kristal tunggal SiC- Bahan baku CVD SiC dengan kemurnian tinggi. Produk ini mengisi kesenjangan domestik dan juga berada pada level terdepan secara global, serta akan berada dalam posisi terdepan dalam persaingan dalam jangka panjang. Bahan baku silikon karbida tradisional diproduksi melalui reaksi silikon dengan kemurnian tinggi dangrafit, yang biayanya tinggi, kemurniannya rendah, dan ukurannya kecil.

Teknologi fluidized bed VeTek Semiconductor menggunakan methyltrichlorosilane untuk menghasilkan bahan baku silikon karbida melalui pengendapan uap kimia, dan produk sampingannya adalah asam klorida. Asam klorida dapat membentuk garam melalui netralisasi dengan alkali, dan tidak akan menimbulkan pencemaran terhadap lingkungan. Pada saat yang sama, methyltrichlorosilane merupakan gas industri yang banyak digunakan dengan biaya rendah dan sumber yang luas, terutama China yang merupakan produsen utama methyltrichlorosilane. Oleh karena itu, bahan baku CVD SiC dengan kemurnian tinggi dari VeTek Semiconductor memiliki daya saing terdepan secara internasional dalam hal biaya dan kualitas. Kemurnian bahan baku CVD SiC dengan kemurnian tinggi lebih tinggi daripada99,9995%.

Keuntungan dari bahan baku CVD SiC dengan kemurnian tinggi

High purity CVD SiC raw materials

● Ukuran besar dan kepadatan tinggi

Ukuran partikel rata-rata sekitar 4-10 mm, dan ukuran partikel bahan baku Acheson dalam negeri <2,5 mm. Wadah dengan volume yang sama dapat menampung lebih dari 1,5kg bahan mentah, yang kondusif untuk memecahkan masalah kurangnya pasokan bahan penumbuh kristal berukuran besar, mengurangi grafitisasi bahan mentah, mengurangi pembungkus karbon, dan meningkatkan kualitas kristal.

●Rasio Si/C rendah

Ini mendekati 1:1 dibandingkan bahan baku Acheson dengan metode propagasi mandiri, yang dapat mengurangi cacat yang disebabkan oleh peningkatan tekanan parsial Si.

●Nilai keluaran tinggi

Bahan baku yang dikembangkan tetap mempertahankan prototipe, mengurangi rekristalisasi, mengurangi grafitisasi bahan baku, mengurangi cacat pembungkus karbon, dan meningkatkan kualitas kristal.

● Kemurnian lebih tinggi

Kemurnian bahan baku yang dihasilkan dengan metode CVD lebih tinggi dibandingkan dengan bahan baku Acheson metode self propagating. Kandungan nitrogen telah mencapai 0,09 ppm tanpa pemurnian tambahan. Bahan baku ini juga dapat berperan penting dalam bidang semi isolasi.

● Biaya lebih rendah

Tingkat penguapan yang seragam memfasilitasi kontrol kualitas proses dan produk, sekaligus meningkatkan tingkat pemanfaatan bahan baku (tingkat pemanfaatan>50%, bahan baku 4,5kg menghasilkan 3,5kg ingot), sehingga mengurangi biaya.

●Tingkat kesalahan manusia yang rendah

Deposisi uap kimia menghindari kotoran yang disebabkan oleh operasi manusia.

Bahan baku CVD SiC dengan kemurnian tinggi adalah produk generasi baru yang digunakan sebagai penggantiBubuk SiC untuk menumbuhkan kristal tunggal SiC. Kualitas kristal tunggal SiC yang tumbuh sangat tinggi. Saat ini VeTek Semiconductor telah menguasai sepenuhnya teknologi tersebut. Dan sudah mampu memasok produk ini ke pasar dengan harga yang sangat menguntungkan.