Rok Dilapisi CVD SiC

VeTek Semiconductor adalah produsen terkemuka, inovator dan pemimpin CVD SiC Coating dan TAC Coating di Cina. Selama bertahun-tahun, kami telah berfokus pada berbagai produk Pelapis SiC CVD seperti Rok berlapis CVD SiC, Cincin Pelapis SiC CVD, pembawa Pelapis SiC CVD, dll. VeTek Semiconductor mendukung layanan produk yang disesuaikan dan harga produk yang memuaskan, dan menantikan masa depan Anda konsultasi.

mengirimkan permintaan

Deskripsi Produk

Vetek Semiconductor adalah produsen profesional untuk rok berlapis CVD SiC di Cina.

Teknologi epitaksi ultraviolet dalam peralatan Aixtron memainkan peran penting dalam manufaktur semikonduktor. Teknologi ini menggunakan sumber cahaya ultraviolet dalam untuk menyimpan berbagai bahan pada permukaan wafer melalui pertumbuhan epitaksi untuk mencapai kontrol yang tepat terhadap kinerja dan fungsi wafer. Teknologi epitaksi ultraviolet dalam digunakan dalam berbagai aplikasi, mencakup produksi berbagai perangkat elektronik mulai dari LED hingga laser semikonduktor.

Dalam proses ini, rok berlapis CVD SiC memainkan peran penting. Ini dirancang untuk menopang lembaran epitaksi dan mendorong lembaran epitaksi berputar untuk memastikan keseragaman dan stabilitas selama pertumbuhan epitaksi. Dengan mengontrol kecepatan putaran dan arah suseptor grafit secara tepat, proses pertumbuhan pembawa epitaksi dapat dikontrol secara akurat.

Produk ini terbuat dari lapisan grafit dan silikon karbida berkualitas tinggi, memastikan kinerja luar biasa dan masa pakai yang lama. Bahan grafit yang diimpor menjamin stabilitas dan keandalan produk, sehingga dapat bekerja dengan baik di berbagai lingkungan kerja. Dalam hal pelapisan, bahan silikon karbida kurang dari 5ppm digunakan untuk menjamin keseragaman dan stabilitas lapisan. Pada saat yang sama, proses baru dan koefisien ekspansi termal bahan grafit sangat cocok, meningkatkan ketahanan produk terhadap suhu tinggi dan ketahanan guncangan termal, sehingga tetap dapat mempertahankan kinerja stabil di lingkungan bersuhu tinggi.

Sifat fisik dasar Rok Dilapisi SiC CVD:

Sifat fisik dasar lapisan CVD SiC
Milik	Nilai Khas
Struktur Kristal	Polikristalin fase β FCC, terutama berorientasi (111).
Kepadatan	3,21 gram/cm³
Kekerasan	Kekerasan Vickers 2500（beban 500g）
Ukuran Butir	2~10μm
Kemurnian Kimia	99,99995%
Kapasitas Panas	640 J·kg-1·K-1
Suhu Sublimasi	2700℃
Kekuatan Lentur	415 MPa RT 4 titik
Modulus Muda	tikungan 430 Gpa 4pt, 1300℃
Konduktivitas Termal	300W·m-1·K-1
Ekspansi Termal (CTE)	4,5×10-6K-1