Substrat SiC Tipe Semi Isolasi 4H

Vetek Semiconductor 4H Semi Insulated Type SiC memainkan banyak peran penting dalam proses pemrosesan semikonduktor. Dikombinasikan dengan resistivitas tinggi, konduktivitas termal tinggi, celah pita lebar, dan sifat lainnya, ia banyak digunakan dalam bidang frekuensi tinggi, daya tinggi, dan suhu tinggi, terutama dalam aplikasi gelombang mikro dan RF. Ini adalah produk komponen yang sangat diperlukan dalam proses pembuatan semikonduktor.

Resistivitas Substrat SiC Tipe Semi Insulasi Vetek 4H biasanya antara 10^6 Ω·cm dan 10^9 Ω·cm. Resistivitas tinggi ini dapat menekan arus parasit dan mengurangi gangguan sinyal, terutama pada aplikasi frekuensi tinggi dan daya tinggi. Lebih penting lagi, resistivitas tinggi dari substrat SiC tipe 4H SI memiliki arus bocor yang sangat rendah pada suhu tinggi dan tekanan tinggi, yang dapat menjamin stabilitas dan keandalan perangkat.

Kuat medan listrik tembus substrat SiC tipe 4H SI setinggi 2,2-3,0 MV/cm, yang menentukan bahwa substrat SiC tipe 4H SI dapat menahan tegangan lebih tinggi tanpa kerusakan, sehingga produk ini sangat cocok untuk bekerja di bawah kondisi tegangan tinggi dan daya tinggi. Lebih penting lagi, substrat SiC tipe 4H SI memiliki celah pita lebar sekitar 3,26 eV, sehingga produk dapat mempertahankan kinerja isolasi yang sangat baik pada suhu tinggi dan tegangan tinggi serta mengurangi kebisingan elektronik.

Selain itu, konduktivitas termal substrat SiC tipe 4H SI adalah sekitar 4,9 W/cm·K, sehingga produk ini dapat secara efektif mengurangi masalah akumulasi panas dalam aplikasi berdaya tinggi dan memperpanjang umur perangkat. Cocok untuk perangkat elektronik di lingkungan bersuhu tinggi.

Dengan menumbuhkan lapisan epitaksi GaN pada substrat silikon karbida semi-isolasi, wafer epitaksi GaN berbasis silikon karbida selanjutnya dapat dibuat menjadi perangkat frekuensi radio gelombang mikro seperti HEMT, yang digunakan dalam komunikasi informasi, deteksi radio, dan bidang lainnya.

Vetek Semiconductor terus mengupayakan kualitas kristal dan kualitas pemrosesan yang lebih tinggi untuk memenuhi kebutuhan pelanggan. Saat ini, produk 4 inci dan 6 inci tersedia, dan produk 8 inci sedang dalam pengembangan. 

SPESIFIKASI PRODUK DASAR Substrat SiC Semi-Insulasi:

SPESIFIKASI KUALITAS KRISTAL Substrat SiC Semi Isolasi:

Metode dan Terminologi Deteksi Substrat SiC Tipe Semi Insulasi 4H: