Wafer SiC tipe-p sumbu 4°off

Sebagai produsen semikonduktor profesional di Tiongkok, Wafer SiC tipe-p Semikonduktor Semikonduktor 4°off mengacu pada wafer silikon karbida (SiC) 4H yang menyimpang 4° dari arah kristal utama kristal (biasanya sumbu c) saat memotong dan menjalani doping tipe P. Produk ini biasanya digunakan dalam pembuatan perangkat elektronika daya dan perangkat frekuensi radio (RF) dalam rantai industri semikonduktor, dan memiliki keunggulan produk yang sangat baik.

Melalui pemotongan di luar sumbu, Wafer SiC tipe p sumbu 4°off dari VeTek Semiconductor dapat secara efektif mengurangi dislokasi dan cacat yang dihasilkan selama pertumbuhan lapisan epitaksi, sehingga meningkatkan kualitas wafer. Selain itu, orientasi 4° Off-Axis membantu menumbuhkan lapisan epitaksi yang lebih seragam dan bebas cacat, meningkatkan kualitas lapisan epitaksi, dan secara umum cocok untuk pembuatan perangkat berkinerja tinggi.

Selain itu, produk Wafer SiC tipe-p sumbu 4°off dari VeTek Semiconductor dapat membuat wafer memiliki lebih banyak pembawa lubang dan membentuk semikonduktor tipe-P dengan mendoping pengotor akseptor (seperti aluminium atau boron). Wafer 4H-SiC tipe-P sering digunakan dalam pembuatan perangkat listrik yang memerlukan lapisan tipe-P. Semikonduktor jenis ini mempunyai sifat kelistrikan yang sangat baik.

Dibandingkan dengan polimorf lain seperti 6H-SiC,4H-SiCmemiliki mobilitas elektron yang lebih tinggi dan kekuatan medan listrik tembus, dan cocok untuk skenario frekuensi tinggi dan daya tinggi. Selain itu, material 4H-SiC memiliki ketahanan tegangan tinggi dan suhu tinggi yang sangat baik, dan dapat bekerja secara normal di lingkungan yang keras.

Standar terkait ukuran Wafer SiC tipe p sumbu 2 inci 4 inci 4°off：

Standar terkait ukuran Wafer SiC tipe-p sumbu 6 inci 4°off：

Metode dan terminologi Deteksi Wafer SiC tipe-p sumbu 4°off：

VeTek Semiconductor sudah memiliki substrat 4H-SiC tipe p sumbu 4° dari 2-6 inci.Substratnya dilapisi dengan aluminium dan tampak berwarna biru. Resistivitasnya berkisar antara 0,1 hingga 0,7Ω•cm. 

Jika Anda memiliki persyaratan produk untuk Wafer SiC tipe p 4° off axis, selamat datang untuk berkonsultasi dengan kami.