Substrat SiC tipe N 4H

Semikonduktor VetekSubstrat SiC tipe N 4Hproduk memiliki sifat listrik, termal dan mekanik yang sangat baik, sehingga produk ini banyak digunakan dalam pengolahan perangkat semikonduktor yang membutuhkan daya tinggi, frekuensi tinggi, suhu tinggi dan keandalan tinggi.

Kuat medan listrik tembus SiC tipe 4H N setinggi 2,2-3,0 MV/cm. Fitur produk ini memungkinkan pembuatan perangkat yang lebih kecil untuk menangani tegangan yang lebih tinggi, sehingga Substrat SiC tipe 4H N kami sering digunakan untuk memproduksi MOSFET, Schottky, dan JFET.

Konduktivitas termal Wafer SiC tipe 4H N adalah sekitar 4,9 W/cm·K, yang membantu menghilangkan panas secara efektif, mengurangi akumulasi panas, memperpanjang umur perangkat, dan cocok untuk aplikasi dengan kepadatan daya tinggi.

Selain itu, Wafer SiC tipe Vetek Semiconductor 4H N masih dapat memiliki performa elektronik yang stabil pada suhu hingga 600°C, sehingga sering digunakan untuk pembuatan sensor suhu tinggi dan sangat cocok untuk lingkungan ekstrem.

Dengan menumbuhkan lapisan epitaksi silikon karbida pada substrat silikon karbida tipe-n, wafer homoepitaksial silikon karbida selanjutnya dapat dibuat menjadi perangkat listrik seperti SBD, MOSFET, IGBT, dll., yang digunakan pada kendaraan listrik, transportasi kereta api, tinggi -transmisi dan transformasi daya, dll.

Vetek Semiconductor terus mengupayakan kualitas kristal dan kualitas pemrosesan yang lebih tinggi untuk memenuhi kebutuhan pelanggan. Saat ini, produk 6 inci dan 8 inci tersedia. Berikut ini adalah parameter produk dasar Substrat SIC 6 inci dan 8 inci:

SPESIFIKASI PRODUK DASAR Substrat SiC tipe N 6 lnch:

SPESIFIKASI PRODUK DASAR Substrat SiC tipe N 8 lnch:

Metode dan Terminologi Deteksi Substrat SiC tipe N 4H: