Teknologi etsa pada manufaktur semikonduktor sering menemui kendala seperti efek pembebanan, efek alur mikro, dan efek pengisian daya yang mempengaruhi kualitas produk. Solusi perbaikan termasuk mengoptimalkan kepadatan plasma, menyesuaikan komposisi gas reaksi, meningkatkan efisiensi sistem vakum, ......
Baca selengkapnyaSintering pengepresan panas adalah metode utama untuk menyiapkan keramik SiC berkinerja tinggi. Proses sintering pengepresan panas meliputi: pemilihan bubuk SiC dengan kemurnian tinggi, pengepresan dan pencetakan pada suhu tinggi dan tekanan tinggi, kemudian sintering. Keramik SiC yang dibuat dengan......
Baca selengkapnyaMetode pertumbuhan utama Silicon Carbide (SiC) mencakup PVT, TSSG, dan HTCVD, yang masing-masing memiliki kelebihan dan tantangan tersendiri. Bahan medan termal berbasis karbon seperti sistem isolasi, cawan lebur, pelapis TaC, dan grafit berpori meningkatkan pertumbuhan kristal dengan memberikan sta......
Baca selengkapnyaSiC memiliki kekerasan, konduktivitas termal, dan ketahanan korosi yang tinggi, sehingga ideal untuk pembuatan semikonduktor. Lapisan CVD SiC dibuat melalui pengendapan uap kimia, memberikan konduktivitas termal yang tinggi, stabilitas kimia, dan konstanta kisi yang cocok untuk pertumbuhan epitaksi.......
Baca selengkapnyaSilikon karbida (SiC) adalah bahan semikonduktor presisi tinggi yang dikenal karena sifat-sifatnya yang sangat baik seperti tahan suhu tinggi, tahan korosi, dan kekuatan mekanik yang tinggi. Ia memiliki lebih dari 200 struktur kristal, dengan 3C-SiC menjadi satu-satunya tipe kubik, menawarkan kebula......
Baca selengkapnya