Apa itu keramik SiC yang dipres panas?

Apa itu Keramik Silikon Karbida?

Keramik silikon karbida (SiC)adalah bahan keramik canggih yang mengandung silikon dan karbon. Pada awal tahun 1893, bubuk SiC yang disintesis secara artifisial mulai diproduksi secara massal sebagai bahan abrasif. Butiran silikon karbida yang telah disiapkan dapat disinter hingga menjadi sangat keraskeramik, yaitu keramik SiC.

Struktur Keramik SiC

Keramik SiC memiliki karakteristik yang sangat baik yaitu kekerasan tinggi, kekuatan tinggi dan ketahanan tekan, stabilitas suhu tinggi, konduktivitas termal yang baik, ketahanan korosi, dan koefisien muai yang rendah. Keramik SiC saat ini banyak digunakan di bidang otomotif, perlindungan lingkungan, dirgantara, informasi elektronik, energi, dll, dan telah menjadi komponen penting atau bagian inti yang tak tergantikan di banyak bidang industri.

Cara mendapatkankeramik SiC?

Saat ini, proses pembuatan keramik silikon karbida dibagi menjadireaksi sintering, sintering tanpa tekanan, sintering yang ditekan panasDansintering rekristalisasi. Sintering reaksi memiliki pasar terbesar dan biaya produksi rendah; sintering tanpa tekanan memiliki biaya tinggi tetapi kinerja luar biasa; sintering pengepresan panas memiliki kinerja terbaik tetapi berbiaya tinggi, dan terutama digunakan di bidang presisi tinggi seperti dirgantara dan semikonduktor; sintering rekristalisasi menghasilkan bahan berpori dengan kinerja buruk. Oleh karena itu, keramik SiC yang digunakan dalam industri semikonduktor sering kali dibuat dengan sintering pengepresan panas.

Kelebihan dan kekurangan relatif keramik SiC hot pressed (HPSC) dibandingkan tujuh jenis SiC lainnya:

Pasar utama dan kinerja SiC dengan metode produksi yang berbeda

Pembuatan keramik SiC dengan sintering pengepresan panas:

   •Persiapan bahan baku: Bubuk silikon karbida dengan kemurnian tinggi dipilih sebagai bahan mentah, dan diolah terlebih dahulu dengan penggilingan bola, penyaringan, dan proses lainnya untuk memastikan bahwa distribusi ukuran partikel bubuk tersebut seragam.

   •Desain cetakan: Rancang cetakan yang sesuai dengan ukuran dan bentuk keramik silikon karbida yang akan disiapkan.

   •Memuat cetakan dan menekannya: Bubuk silikon karbida yang telah diolah sebelumnya dimasukkan ke dalam cetakan, dan kemudian ditekan pada kondisi suhu tinggi dan tekanan tinggi.

   •Sintering dan pendinginan: Setelah pengepresan selesai, cetakan dan blanko silikon karbida ditempatkan dalam tungku suhu tinggi untuk sintering. Selama proses sintering, bubuk silikon karbida           secara bertahap mengalami reaksi kimia untuk membentuk badan keramik padat. Setelah sintering, produk didinginkan hingga suhu kamar menggunakan metode pendinginan yang sesuai.

Diagram konseptual tungku induksi silikon karbida pengepresan panas:

  • (1) Vektor beban tekan hidrolik; 

  • (2) Piston baja tekan hidrolik; 

  • (3) Unit pendingin; 

  • (4) Piston pemindah beban grafit densitas tinggi; 

  • (5) Cetakan panas grafit densitas tinggi; 

  • (6) Insulasi tungku penahan beban grafit;

  • (7) Penutup tungku kedap udara berpendingin air; 

  • (8) Pipa kumparan induksi tembaga berpendingin air yang tertanam di dinding tungku kedap udara; 

  • (9) Lapisan insulasi papan serat grafit terkompresi; 

  • (10) Tungku kedap udara berpendingin air;

  • (11) Balok bawah yang menahan beban rangka tekan hidrolik menunjukkan vektor reaksi gaya; 

  • (12) Badan keramik HPSC

Keramik SiC yang dipres panas adalah:

  • Kemurnian tinggi: 0,98% (kristal tunggal SiC 100% murni).

  • Padat penuh: kepadatan 100% mudah dicapai (kristal tunggal SiC memiliki kepadatan 100%).

  • Polikristalin.

  • Struktur mikro keramik SIC dengan butiran sangat halus yang dipres panas dengan mudah mencapai kepadatan 100%. Hal ini menjadikan keramik SIC pengepresan panas lebih unggul dibandingkan semua bentuk SiC lainnya, termasuk SiC kristal tunggal dan SiC sinter langsung.

Oleh karena itu, keramik SiC mempunyai sifat unggul yang mengungguli material keramik lainnya.

Dalam industri semikonduktor, keramik SiC telah banyak digunakan, seperti cakram gerinda silikon karbida untuk penggilinganwafer, Efektor Akhir Penanganan Waferuntuk mengangkut wafer, dan suku cadang di ruang reaksi peralatan perlakuan panas, dll.

Keramik SiC memainkan peran besar di seluruh industri semikonduktor, dan dengan peningkatan teknologi semikonduktor yang berkelanjutan, keramik SiC akan menempati posisi yang lebih penting.

Saat ini, menurunkan suhu sintering keramik SiC dan menemukan proses produksi baru dan murah masih menjadi fokus penelitian para pekerja material. Pada saat yang sama, mengeksplorasi dan mengembangkan semua keunggulan keramik SiC dan memberikan manfaat bagi umat manusia adalah tugas utama VeTek Semiconductor. Kami yakin keramik SiC akan memiliki prospek pengembangan dan penerapan yang luas.

Sifat fisik Silikon Karbida Sinter Semikonduktor VeTek：

VeTek Semiconductor adalah produsen dan pemasok Cina profesional Pengangkut perahu wafer SiC dengan kemurnian tinggi, Dayung Kantilever SiC Kemurnian Tinggi, Dayung Kantilever SiC, Perahu Wafer Silikon Karbida, Suseptor lapisan SiC MOCVDDan Keramik Semikonduktor Lainnya. VeTek Semiconductor berkomitmen untuk menyediakan solusi canggih untuk berbagai produk Pelapisan untuk industri semikonduktor.

Jika Anda memiliki pertanyaan atau memerlukan detail tambahan,jangan ragu untuk menghubungi kami.

Massa/WhatsAPP: +86-180 6922 0752

Surel: anny@veteksemi.com