VeTek Semiconductor adalah produsen dan inovator Rapid Thermal Annealing Susceptor terkemuka di China. Kami telah mengkhususkan diri dalam bahan pelapis SiC selama bertahun-tahun. Kami menawarkan Rapid Thermal Annealing Susceptor dengan kualitas tinggi, tahan suhu tinggi, super tipis. Kami menyambut Anda untuk mengunjungi kami pabrik di Cina.
VeTek Semiconductor Rapid Thermal Annealing Susceptor dengan kualitas tinggi dan masa pakai yang lama, selamat datang untuk menanyakan kepada kami.
Rapid Thermal Anneal (RTA) adalah bagian penting dari Rapid Thermal Processing yang digunakan dalam fabrikasi perangkat semikonduktor. Ini melibatkan pemanasan wafer individu untuk mengubah sifat listriknya melalui berbagai perlakuan panas yang ditargetkan. Proses RTA memungkinkan aktivasi dopan, perubahan antarmuka substrat film-ke-film atau film-ke-wafer, pemadatan film yang diendapkan, modifikasi keadaan film yang tumbuh, perbaikan kerusakan implantasi ion, pergerakan dopan, dan penggerak dopan antar film. atau ke dalam substrat wafer.
Produk Semikonduktor VeTek, Rapid Thermal Annealing Susceptor, memainkan peran penting dalam proses RTP. Itu dibangun menggunakan bahan grafit kemurnian tinggi dengan lapisan pelindung silikon karbida inert (SiC). Substrat silikon berlapis SiC dapat menahan suhu hingga 1100°C, memastikan kinerja yang andal bahkan dalam kondisi ekstrem. Lapisan SiC memberikan perlindungan yang sangat baik terhadap kebocoran gas dan pelepasan partikel, sehingga menjamin umur panjang produk.
Untuk menjaga kontrol suhu yang tepat, chip dienkapsulasi antara dua komponen grafit dengan kemurnian tinggi yang dilapisi dengan SiC. Pengukuran suhu yang akurat dapat diperoleh melalui sensor suhu tinggi terintegrasi atau termokopel yang bersentuhan dengan media.
Sifat fisik dasar lapisan CVD SiC | |
Properti | Nilai khas |
Struktur kristal | Polikristalin fase β FCC, terutama berorientasi (111). |
Kepadatan | 3,21 gram/cm³ |
Kekerasan | Kekerasan Vickers 2500(beban 500g) |
Ukuran butir | 2~10μm |
Kemurnian Kimia | 99,99995% |
Kapasitas Panas | 640 J·kg-1·K-1 |
Suhu Sublimasi | 2700℃ |
Kekuatan Lentur | 415 MPa RT 4 titik |
Modulus Muda | tikungan 430 Gpa 4pt, 1300℃ |
Konduktivitas termal | 300W·m-1·K-1 |
Ekspansi Termal (CTE) | 4,5×10-6K-1 |