> Berita

Berita

Sejarah Perkembangan 3C SiC

Melalui kemajuan teknologi yang berkelanjutan dan penelitian mekanisme yang mendalam, teknologi heteroepitaksial 3C-SiC diharapkan dapat memainkan peran yang lebih penting dalam industri semikonduktor dan mendorong pengembangan perangkat elektronik berefisiensi tinggi.

Baca selengkapnya

Resep Deposisi Lapisan Atom ALD

ALD spasial, pengendapan lapisan atom yang terisolasi secara spasial. Wafer berpindah antara posisi yang berbeda dan terkena prekursor yang berbeda pada setiap posisi. Gambar di bawah adalah perbandingan antara ALD tradisional dan ALD yang terisolasi secara spasial.

Baca selengkapnya

Terobosan teknologi Tantalum karbida, polusi epitaksi SiC berkurang 75%?

Baru-baru ini, lembaga penelitian Jerman Fraunhofer IISB telah membuat terobosan dalam penelitian dan pengembangan teknologi pelapisan tantalum karbida, dan mengembangkan solusi pelapisan semprot yang lebih fleksibel dan ramah lingkungan dibandingkan larutan pengendapan CVD, dan telah dikomersialkan......

Baca selengkapnya

Eksplorasi penerapan teknologi pencetakan 3D di industri semikonduktor

Di era perkembangan teknologi yang pesat, pencetakan 3D, sebagai representasi penting dari teknologi manufaktur maju, secara bertahap mengubah wajah manufaktur tradisional. Dengan kematangan teknologi yang berkelanjutan dan pengurangan biaya, teknologi pencetakan 3D telah menunjukkan prospek penerap......

Baca selengkapnya

Teknologi persiapan epitaksi silikon (Si).

Bahan kristal tunggal saja tidak dapat memenuhi kebutuhan produksi berbagai perangkat semikonduktor yang terus meningkat. Pada akhir tahun 1959, lapisan tipis teknologi pertumbuhan bahan kristal tunggal - pertumbuhan epitaksi dikembangkan.

Baca selengkapnya

Berdasarkan teknologi tungku pertumbuhan kristal tunggal silikon karbida 8 inci

Silikon karbida adalah salah satu bahan yang ideal untuk membuat perangkat bersuhu tinggi, frekuensi tinggi, berdaya tinggi, dan bertegangan tinggi. Untuk meningkatkan efisiensi produksi dan mengurangi biaya, persiapan substrat silikon karbida berukuran besar merupakan arah pengembangan yang penting......

Baca selengkapnya

<...6 7 8 9 10 >