Resep Deposisi Lapisan Atom ALD

ALD spasial, deposisi lapisan atom yang terisolasi secara spasial. Wafer berpindah antara posisi yang berbeda dan terkena prekursor yang berbeda pada setiap posisi. Gambar di bawah adalah perbandingan antara ALD tradisional dan ALD yang terisolasi secara spasial.

ALD sementara,deposisi lapisan atom yang terisolasi untuk sementara. Wafer difiksasi dan prekursor dimasukkan dan dikeluarkan secara bergantian ke dalam ruangan. Metode ini dapat memproses wafer dalam lingkungan yang lebih seimbang, sehingga meningkatkan hasil, seperti kontrol yang lebih baik terhadap rentang dimensi kritis. Gambar di bawah ini adalah diagram skema ALD Temporal.

Hentikan katup, tutup katup. Biasa digunakan di，resep, digunakan untuk menutup katup pompa vakum, atau membuka katup penghenti pompa vakum.

Prekursor, pendahulu. Dua atau lebih, masing-masing mengandung unsur film yang diendapkan yang diinginkan, diadsorpsi secara bergantian pada permukaan substrat, dengan hanya satu prekursor pada satu waktu, tidak bergantung satu sama lain. Setiap prekursor menjenuhkan permukaan substrat untuk membentuk lapisan tunggal. Prekursornya dapat dilihat pada gambar di bawah ini.

Pembersihan, juga dikenal sebagai pemurnian. Gas pembersih umum, gas pembersih.Deposisi lapisan atomadalah metode pengendapan film tipis pada lapisan atom dengan menempatkan dua atau lebih reaktan secara berurutan ke dalam ruang reaksi untuk membentuk film tipis melalui dekomposisi dan adsorpsi setiap reaktan. Artinya, gas reaksi pertama disuplai secara berdenyut untuk disimpan secara kimia di dalam ruangan, dan sisa gas reaksi pertama yang terikat secara fisik dihilangkan dengan pembersihan. Kemudian, gas reaksi kedua juga membentuk ikatan kimia dengan gas reaksi pertama sebagian melalui proses denyut dan pembersihan, sehingga mengendapkan lapisan film yang diinginkan pada substrat. Pembersihan dapat dilihat pada gambar di bawah ini.

Siklus. Dalam proses pengendapan lapisan atom, waktu setiap gas reaksi untuk berdenyut dan dibersihkan satu kali disebut siklus.

Epitaksi Lapisan Atom.Istilah lain untuk pengendapan lapisan atom.

Trimethylaluminum, disingkat TMA, trimetilaluminum. Dalam pengendapan lapisan atom, TMA sering digunakan sebagai prekursor pembentukan Al2O3. Biasanya, TMA dan H2O membentuk Al2O3. Selain itu, TMA dan O3 membentuk Al2O3. Gambar di bawah adalah diagram skema pengendapan lapisan atom Al2O3, menggunakan TMA dan H2O sebagai prekursor.

3-Aminopropyltriethoxysilane, disebut sebagai APTES, 3-aminopropyltrimethoxysilane. Di dalampengendapan lapisan atom, APTES sering digunakan sebagai prekursor pembentukan SiO2. Biasanya, APTES, O3 dan H2O membentuk SiO2. Gambar di bawah ini adalah diagram skema APTES.