Porous Tantalum Carbide: Bahan generasi baru untuk pertumbuhan kristal SiC

Dengan produksi massal substrat SiC konduktif secara bertahap, persyaratan yang lebih tinggi ditempatkan pada stabilitas dan pengulangan proses. Secara khusus, pengendalian cacat, sedikit penyesuaian atau penyimpangan pada medan termal di tungku akan menyebabkan perubahan pada kristal atau peningkatan cacat.

Pada tahap selanjutnya, kita akan menghadapi tantangan “tumbuh lebih cepat, lebih tebal, dan lebih lama”. Selain peningkatan teori dan teknik, diperlukan material medan termal yang lebih maju sebagai pendukung. Gunakan bahan canggih untuk menumbuhkan kristal tingkat lanjut.

Penggunaan bahan seperti grafit, grafit berpori, dan bubuk tantalum karbida yang tidak tepat dalam wadah di medan termal akan menyebabkan cacat seperti peningkatan inklusi karbon. Selain itu, dalam beberapa aplikasi, permeabilitas grafit berpori tidak mencukupi, dan lubang tambahan perlu dibuka untuk meningkatkan permeabilitas. Grafit berpori dengan permeabilitas tinggi menghadapi tantangan seperti pemrosesan, kehilangan bubuk, dan pengetsaan.

Baru-baru ini, VeTek Semiconductor meluncurkan generasi baru bahan medan termal pertumbuhan kristal SiC,tantalum karbida berpori, untuk pertama kalinya di dunia.

Tantalum karbida memiliki kekuatan dan kekerasan yang tinggi, dan membuatnya menjadi berpori lebih sulit lagi. Lebih sulit lagi membuat tantalum karbida berpori dengan porositas besar dan kemurnian tinggi. VeTek Semiconductor telah meluncurkan terobosan tantalum karbida berpori dengan porositas besar,dengan porositas maksimum 75%, mencapai level terdepan internasional.

Selain itu, dapat digunakan untuk filtrasi komponen fase gas, mengatur gradien suhu lokal, memandu arah aliran material, mengendalikan kebocoran, dll.; dapat dikombinasikan dengan lapisan tantalum karbida padat (padat) atau tantalum karbida lainnya dari VeTek Semiconductor untuk membentuk komponen dengan konduktansi aliran lokal yang berbeda; beberapa komponen dapat digunakan kembali.

Parameter teknis

Porositas ≤75% Terkemuka internasional

Bentuk: serpihan, silinder terkemuka Internasional

Porositas seragam

Semikonduktor VeTek Porous Tantalum Carbide (TaC) memiliki fitur produk berikut

●   Porositas untuk Aplikasi Serbaguna

Struktur berpori TaC memberikan multifungsi, memungkinkan penggunaannya dalam skenario khusus seperti:

Difusi gas: Memfasilitasi kontrol aliran gas yang tepat dalam proses semikonduktor.

Penyaringan: Ideal untuk lingkungan yang memerlukan pemisahan partikulat berkinerja tinggi.

Pembuangan panas terkontrol: Mengelola panas secara efisien dalam sistem suhu tinggi, meningkatkan regulasi termal secara keseluruhan.

●   Ketahanan Ekstrim pada Suhu Tinggi

Dengan titik leleh sekitar 3,880°C, Tantalum Carbide unggul dalam aplikasi suhu sangat tinggi. Ketahanan panas yang luar biasa ini memastikan kinerja yang konsisten dalam kondisi di mana sebagian besar material mengalami kegagalan.

●   Kekerasan dan Daya Tahan Unggul

Peringkat 9-10 pada skala kekerasan Mohs, mirip dengan berlian, Porous TaC menunjukkan ketahanan yang tak tertandingi terhadap keausan mekanis, bahkan di bawah tekanan ekstrem. Daya tahan ini membuatnya ideal untuk aplikasi yang terpapar pada lingkungan yang abrasif.

●   Stabilitas Termal Luar Biasa

Tantalum Carbide mempertahankan integritas struktural dan kinerjanya dalam kondisi panas ekstrem. Stabilitas termalnya yang luar biasa memastikan pengoperasian yang andal di industri yang memerlukan konsistensi suhu tinggi, seperti manufaktur semikonduktor dan ruang angkasa.

●   Konduktivitas Termal Luar Biasa

Meskipun sifatnya berpori, Porous TaC mempertahankan perpindahan panas yang efisien, sehingga memungkinkan penggunaannya dalam sistem yang memerlukan pembuangan panas yang cepat. Fitur ini meningkatkan penerapan material dalam proses intensif panas.

●   Ekspansi Termal Rendah untuk Stabilitas Dimensi

Dengan koefisien muai panas yang rendah, Tantalum Carbide tahan terhadap perubahan dimensi yang disebabkan oleh fluktuasi suhu. Properti ini meminimalkan tekanan termal, memperpanjang umur komponen dan menjaga presisi dalam sistem kritis.

Dalam manufaktur semikonduktor, Porous Tantalum Carbide (TaC) memainkan peran penting berikut ini

●  Dalam proses bersuhu tinggi seperti etsa plasma dan CVD, semikonduktor VeTek Porous Tantalum Carbide sering digunakan sebagai lapisan pelindung pada peralatan pemrosesan. Hal ini disebabkan oleh ketahanan korosi yang kuat dari Lapisan TaC dan stabilitas suhu tinggi. Sifat-sifat ini memastikan bahwa produk ini secara efektif melindungi permukaan yang terpapar gas reaktif atau suhu ekstrem, sehingga memastikan reaksi normal pada proses suhu tinggi.

●  Dalam proses difusi, Tantalum Karbida Berpori dapat berfungsi sebagai penghalang difusi yang efektif untuk mencegah pencampuran bahan dalam proses suhu tinggi. Fitur ini sering digunakan untuk mengontrol difusi dopan dalam proses seperti implantasi ion dan kontrol kemurnian wafer semikonduktor.

●  Struktur berpori semikonduktor VeTek Porous Tantalum Carbide sangat cocok untuk lingkungan pemrosesan semikonduktor yang memerlukan kontrol aliran atau filtrasi gas yang presisi. Dalam proses ini, Porous TaC terutama berperan sebagai penyaringan dan distribusi gas. Kelambanan kimianya memastikan tidak ada kontaminan yang masuk selama proses filtrasi. Ini secara efektif menjamin kemurnian produk olahan.

Tentang Semikonduktor VeTek

Sebagai Produsen, Pemasok, Pabrik Tantalum Karbida Berpori profesional Tiongkok, kami memiliki pabrik sendiri. Apakah Anda memerlukan layanan khusus untuk memenuhi kebutuhan spesifik wilayah Anda atau ingin membeli Tantalum Carbide Berpori canggih dan tahan lama buatan China, Anda dapat meninggalkan pesan kepada kami.

Jika Anda memiliki pertanyaan atau memerlukan detail tambahan tentangTantalum Karbida Berpori、Grafit Berpori Dilapisi Tantalum Karbidadan lainnyaKomponen Dilapisi Tantalum Karbida, jangan ragu untuk menghubungi kami.

☏☏☏Massa/WhatsAPP: +86-180 6922 0752

☏☏☏Surel: anny@veteksemi.com