Rumah > Berita > berita industri

Apa perbedaan antara CVD TaC dan TaC sinter?

2024-08-26

1. Apa itu tantalum karbida?


Tantalum karbida (TaC) adalah senyawa biner yang terdiri dari tantalum dan karbon dengan rumus empiris TaCX, di mana X biasanya bervariasi dalam kisaran 0,4 hingga 1. Bahan ini merupakan bahan keramik tahan api konduktif metalik yang sangat keras dan rapuh. Bentuknya bubuk coklat keabu-abuan, biasanya disinter. Sebagai bahan keramik logam yang penting, tantalum karbida digunakan secara komersial untuk alat pemotong dan terkadang ditambahkan ke paduan tungsten karbida.

Gambar 1. Bahan Baku Tantalum Karbida


Keramik Tantalum karbida adalah keramik yang mengandung tujuh fase kristal tantalum karbida. Rumus kimianya adalah TaC, kisi kubik berpusat muka.

Gambar 2.Tantalum karbida - Wikipedia


Massa jenis teoritis 1,44, titik leleh 3730-3830℃, koefisien muai panas 8,3×10-6, modulus elastisitas 291GPa, konduktivitas termal 0,22J/cm·S·C, dan titik leleh puncak tantalum karbida sekitar 3880℃, tergantung pada kemurnian dan kondisi pengukuran. Nilai ini merupakan yang tertinggi di antara senyawa biner.

Gambar 3.Deposisi Uap Kimia Tantalum Karbida di TaBr5&ndash


2. Seberapa kuat tantalum karbida?


Dengan menguji kekerasan Vickers, ketangguhan patah, dan kepadatan relatif serangkaian sampel, dapat ditentukan bahwa TaC memiliki sifat mekanik terbaik pada 5,5GPa dan 1300℃. Kepadatan relatif, ketangguhan patah, dan kekerasan Vickers TaC masing-masing adalah 97,7%, 7,4MPam1/2, dan 21,0GPa.


Tantalum karbida disebut juga keramik tantalum karbida, yaitu sejenis bahan keramik dalam arti luas;metode pembuatan tantalum karbida meliputiCVDmetode, metode sintering, dll. Saat ini, metode CVD lebih umum digunakan pada semikonduktor, dengan kemurnian tinggi dan biaya tinggi.


3. Perbandingan antara tantalum karbida sinter dan tantalum karbidaCVD


Dalam teknologi pemrosesan semikonduktor, tantalum karbida sinter dan deposisi uap kimia (CVD) tantalum karbida adalah dua metode umum untuk membuat tantalum karbida, yang memiliki perbedaan signifikan dalam proses persiapan, struktur mikro, kinerja, dan aplikasi.


3.1 Proses persiapan

Tantalum karbida sinter: Bubuk tantalum karbida disinter pada suhu tinggi dan tekanan tinggi untuk membentuk suatu bentuk. Proses ini melibatkan pemadatan bubuk, pertumbuhan butiran, dan penghilangan kotoran.

CVD tantalum karbida: Prekursor gas tantalum karbida digunakan untuk bereaksi secara kimia pada permukaan substrat yang dipanaskan, dan film tantalum karbida diendapkan lapis demi lapis. Proses CVD memiliki kemampuan kontrol ketebalan film dan keseragaman komposisi yang baik.


3.2 Struktur mikro

Tantalum karbida sinter: Umumnya merupakan struktur polikristalin dengan ukuran butir dan pori-pori besar. Struktur mikronya dipengaruhi oleh faktor-faktor seperti suhu sintering, tekanan dan karakteristik bubuk.

CVD tantalum karbida: Biasanya berupa film polikristalin padat dengan ukuran butiran kecil dan dapat mencapai pertumbuhan yang sangat berorientasi. Struktur mikro film dipengaruhi oleh faktor-faktor seperti suhu pengendapan, tekanan gas, dan komposisi fasa gas.


3.3 Perbedaan kinerja

Gambar 4. Perbedaan Kinerja antara Sintered TaC dan CVD TaC

3.4 Aplikasi


Tantalum karbida yang disinter: Karena kekuatannya yang tinggi, kekerasannya yang tinggi, dan ketahanannya terhadap suhu tinggi, ia banyak digunakan pada perkakas pemotong, suku cadang tahan aus, bahan struktural suhu tinggi, dan bidang lainnya. Misalnya, tantalum karbida yang disinter dapat digunakan untuk memproduksi alat pemotong seperti bor dan pemotong frais guna meningkatkan efisiensi pemrosesan dan kualitas permukaan komponen.


CVD tantalum karbida: Karena sifat filmnya yang tipis, daya rekat dan keseragaman yang baik, ia banyak digunakan pada perangkat elektronik, bahan pelapis, katalis, dan bidang lainnya. Misalnya, tantalum karbida CVD dapat digunakan sebagai interkoneksi untuk sirkuit terpadu, pelapis tahan aus, dan pembawa katalis.


--------------------------------------------------- --------------------------------------------------- --------------------------------------------------- --------------------------------------------------- --------------------------------------------------- ------------------------------


Sebagai produsen, pemasok dan pabrik pelapis tantalum karbida, VeTek Semiconductor adalah produsen bahan pelapis tantalum karbida terkemuka untuk industri semikonduktor.


Produk utama kami meliputiBagian berlapis tantalum karbidaCVD, bagian berlapis TaC yang disinter untuk pertumbuhan kristal SiC atau proses epitaksi semikonduktor. Produk utama kami adalah Cincin Pemandu Berlapis Tantalum Karbida, Cincin Pemandu Berlapis TaC, Bagian Setengah Bulan Berlapis TaC, Disk Putar Planet Berlapis Tantalum Karbida (Aixtron G10), Crucible Berlapis TaC; Cincin Dilapisi TaC; Grafit Berpori Berlapis TaC; Susceptor Grafit Berlapis Tantalum Karbida; Cincin Panduan Dilapisi TaC; Pelat Dilapisi Tantalum Karbida TaC; Penerima Wafer Berlapis TaC; Tutup Grafit Dilapisi TaC; Blok Dilapisi TaC, dll., dengan kemurnian kurang dari 5ppm untuk memenuhi kebutuhan pelanggan.

VeTek Semiconductor's Hot-selling TaC Coating Products

Gambar 5. Produk Pelapis TaC Semikonduktor VeTek yang Terlaris


VeTek Semiconductor berkomitmen untuk menjadi inovator dalam industri Pelapisan Tantalum Karbida melalui penelitian berkelanjutan dan pengembangan teknologi berulang. 

Jika Anda tertarik dengan produk TaC, jangan ragu untuk menghubungi kami secara langsung.


Massa: +86-180 6922 0752

WhatsApp: +86 180 6922 0752

Surel: anny@veteksemi.com



X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept